[发明专利]正反馈共栅极低噪声放大器

权利要求书

1.一种共栅极放大器，包括：

输入支路，所述输入支路包括属于一导电性类型的输入晶体管；

可数字编程的储能电路负载，其耦合至所述输入支路；以及

属于所述导电性类型的正反馈晶体管。

2.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，所述正反馈晶体管具有源极，其中所述输入晶体管具有源极，且其中所述正反馈晶体管的源极耦合至所述输入晶体管的源极。

3.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，所述输入支路进一步包括共源共栅晶体管，其中所述共源共栅晶体管具有漏极，且其中所述共源共栅晶体管的漏极耦合至所述正反馈晶体管的漏极。

4.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，进一步包括：

输入信号导体，其中输入信号经由所述输入信号导体被接收到所述共栅极放大器上，且其中所述输入信号导体耦合至所述输入晶体管的源极。

5.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，所述共栅极放大器具有输入阻抗，其中所述共栅极放大器接收控制所述可数字编程的储能电路负载的多位控制值，其中所述输入阻抗能调谐成在宽带调谐频率范围上基本恒定，其中所述宽带调谐频率范围从频率下界延伸至频率上界，且其中所述频率上界是所述频率下界的至少一又三分之一倍。

6.如权利要求5所述的共栅极放大器，其特征在于，所述共栅极放大器贯穿所述宽带调谐频率范围具有小于2.2dB的噪声指数（NF）。

7.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，所述共栅极放大器能在宽带调谐频率范围上工作，其中所述宽带调谐频率范围从频率下界延伸至频率上界，其中所述频率上界是所述频率下界的至少一又三分之一倍，且其中所述共栅极放大器贯穿所述宽带调谐频率范围具有小于2.2dB的噪声指数（NF）。

8.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，所述正反馈晶体管所产生的噪声抵消所述输入晶体管所产生的噪声。

9.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，进一步包括：

输入信号导体，所述输入信号导体耦合至所述输入晶体管的源极；以及

输出信号导体，所述输出信号导体耦合至所述可数字编程的储能电路负载，其中所述正反馈晶体管具有耦合至所述输出信号导体的漏极，其中所述正反馈晶体管具有耦合至所述输入信号导体的源极，且其中所述正反馈晶体管具有电容性耦合至所述输出信号导体的栅极。

10.如权利要求1所述的共栅极放大器，其特征在于，所述输入晶体管和所述正反馈晶体管两者均是N沟道场效应晶体管（NFET）。

11.一种共栅极低噪声放大器，包括：

第一输入信号导体；

第二输入信号导体；

第一输入支路，所述第一输入支路包括第一共源共栅晶体管和属于一导电性类型的第一输入晶体管，其中所述第一输入晶体管的栅极被电容性耦合至所述第二输入信号导体；

第二输入支路，所述第二输入支路包括第二共源共栅晶体管和属于所述导电性类型的第二输入晶体管，其中所述第二输入晶体管的栅极被电容性耦合至所述第一输入信号导体；

可数字编程的储能电路负载，所述可数字编程的储能电路负载具有耦合至所述第一共源共栅晶体管的漏极的第一引线，且具有耦合至所述第二共源共栅晶体管的漏极的第二引线；

属于所述导电性类型的第一正反馈晶体管，其中所述第一正反馈晶体管的栅极被电容性耦合至所述第一共源共栅晶体管的漏极，且其中所述第一正反馈晶体管的源极耦合至所述第一输入晶体管的源极；以及

属于所述导电性类型的第二正反馈晶体管，其中所述第二正反馈晶体管的栅极被电容性耦合至所述第二共源共栅晶体管的漏极，且其中所述第二正反馈晶体管的源极耦合至所述第二输入晶体管的源极。

12.如权利要求11所述的共栅极低噪声放大器，其特征在于，所述第一共源共栅晶体管具有耦合至所述第一输入晶体管的漏极的源极，且其中所述第二共源共栅晶体管具有耦合至所述第二输入晶体管的漏极的源极。

13.如权利要求11所述的共栅极低噪声放大器，其特征在于，所述第一共源共栅晶体管的漏极耦合至所述第一正反馈晶体管的漏极，且其中所述第二共源共栅晶体管的漏极耦合至所述第二正反馈晶体管的漏极。