[发明专利]复合靶

权利要求书

1.一种溅射靶，包括：

a.至少两个固结的段，每个段含有合金，所述合金包括大于大约30%重量的钼和至少一种附加的合金元素；以及

b.所述至少两个固结的段之间的接合处，其将各段接合在一起以定义一靶主体，所述接合处没有任何由于添加了粘合剂而形成的微观结构，并且没有任何大于大约200μm宽的接合线，其中，按照ASTM B528-10，所述溅射靶沿接合线的横向断裂强度至少为400MPa左右。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中贯穿整个所述靶主体是大体上连续的和均匀分布的三个相，并且所述靶主体基本上没有任何大于50μm宽的接合线。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中贯穿整个所述靶主体是大体上连续、均匀分布的大体上纯的钼相、大体上纯的至少一种附加的合金元素相以及第三相，所述第三相是一种包括钼和至少一种附加的合金元素的合金。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的溅射靶，其中所述至少一种附加的合金元素包括钛。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的溅射靶，其中所述大体上纯的钼相的量为所述溅射靶主体的大约30vol%到大约60vol%。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的溅射靶，其中所述大体上纯的钼相的量小于所述溅射靶主体的大约48vol%。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的溅射靶，其中所述大体上纯的至少一种附加的合金元素相的量为大约5vol%到大约25vol%。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的溅射靶，其中所述大体上纯的至少一种附加的合金元素相是钛，并且它的量小于大约10vol%。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的溅射靶，其中所述钼和至少一种附加的合金元素的合金的量为大约40vol%到大约65vol%。

10.根据权利要求1到9中任一项所述的溅射靶，其中所述钼和至少一种附加的合金元素的合金包括β相的钼和钛，其含量大于合金的、靶的或两者的大约40vol%。

11.一种制造权利要求1到10中任一项所述的溅射靶的方法，包括步骤：

a.提供第一和第二至少部分固结的金属粉末段，每个段具有经处理的表面，并且每个段含有合金，所述合金包括大于大约30%重量的钼和至少一种附加的合金元素；

b.将所述第一段的经处理的表面与所述第二段的经处理的表面直接接触，接触的表面之间基本没有任何粘合剂来形成接触的接合结构；以及

c.在温度小于大约1080℃，压力及时间足以实现在第一段和第二段之间形成牢固的连接的条件下，对接触的结构进行等静压压制，其中，在第一段和第二段之间基本没有任何大于大约300μm宽的接合线。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述制造步骤包括从包含钼和至少一种合金元素的合金形成所述第一段和第二段的步骤，其中所述至少一种合金元素选自钛、铬、铌、钽、钨、锆、铪、钒、锂、钠、钾或它们的任意组合。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中所述制造步骤包括从一合金形成所述第一段和第二段的步骤，所述合金包含钼、钛以及任选地铬、铌、钽、钨、锆、铪、钒、锂、钠、钾或它们的任意组合。

14.根据权利要求11到13中任一项所述的方法，其中所述制造步骤包括从包含大约30at%到大约70at%的钼和平衡钛形成所述第一段和第二段的步骤，不包含杂质。

15.根据权利要求11到14中任一项所述的方法，其中所述制造步骤包括研磨所述第一段和第二段的一个或多个边缘表面，使得平均表面粗糙度（Ra）小于大约150微英寸（3.8μm），从而为形成接触的接合结构定义出相对的经处理表面。

16.根据权利要求11到15中任一项所述的方法，其中所述等静压压制的步骤包括在大约500到大约1080℃的温度之间进行压制，同时所述接触的结构密封在封闭的容器中。

17.根据权利要求11到16中任一项所述的方法，其中所述等静压压制的步骤包括在至少大约70MPa的压力下压制，同时，所述接触的结构密封在封闭的容器中。