[发明专利]微型高灵敏压力传感器

权利要求书

1.一种法布里－珀罗传感器，包括：

－基片；以及

－安装在所述基片上的膜片，所述膜片具有中心且包括：

－包括第一材料的第一层；以及

－包括第二材料的第二层，所述第二层形成圆点，所述圆点安装在所述第一层上并以所述膜片的中心定中心，所述第二材料包括内部预应力以致使在放松所述内部预应力时，所述膜片的中心从所述基片拱起。

2.根据权利要求1所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一层包括用于安装在所述基片上的内表面以及与所述内表面相对的外表面，所述第二层安装在所述外表面上，且所述第二材料被预加应力在压缩状态。

3.根据权利要求2所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一材料包括硅。

4.根据权利要求3所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的硅材料上的二氧化硅。

5.根据权利要求3所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的所述硅材料上的以下任一种：铬、铝、钛、铁、金、氧化钛、氧化钽、二氧化硅、氧化锆、氧化铝和氮化硅。

6.根据权利要求1所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一层包括用于安装在所述基片上的内表面，所述第二层安装在所述内表面上且所述第二材料被预加应力在拉紧状态。

7.根据权利要求6所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一材料包括硅。

8.根据权利要求7所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的硅材料上的铬。

9.根据权利要求7所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括所述第一层的铬、铝、钛、铁、金、氧化钛、氧化钽、二氧化硅、氧化锆、氧化铝和氮化硅中的一种。

10.一种法布里－珀罗传感器，包括：

－基片；以及

－安装在所述基片上的膜片，所述膜片具有中心且包括：

－包括第一材料的第一层；以及

－包括第二材料的第二层，所述第二层形成环，所述环安装在所述第一层上并以所述膜片的中心定中心，所述第二材料包括内部预应力以致使在放松所述内部预应力时，所述膜片的中心周围的周边区域从所述基片拱起。

11.根据权利要求10所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一层包括用于安装在所述基片上的内表面以及与所述内表面相对的外表面，所述第二层安装在所述外表面上，且所述第二材料被预加应力在压缩状态。

12.根据权利要求11所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一材料包括硅。

13.根据权利要求12所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的硅材料上的铬。

14.根据权利要求12所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的所述硅材料上的以下任一种：铬、铝、钛、铁、金、氧化钛、氧化钽、二氧化硅、氧化锆、氧化铝和氮化硅。

15.根据权利要求10所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一层包括用于安装在所述基片上的内表面，所述第二层安装在所述内表面上且所述第二材料被预加应力在压缩状态。

16.根据权利要求15所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第一材料包括硅。

17.根据权利要求16所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的所述硅材料上的二氧化硅。

18.根据权利要求16所述的法布里－珀罗传感器，其中，所述第二材料包括在所述第一层的所述硅材料上的以下任一种：铬、铝、钛、铁、金、氧化钛、氧化钽、二氧化硅、氧化锆、氧化铝和氮化硅。