[发明专利]用于施加连续电场的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201280022037.3 申请日: 2012-05-04
公开(公告)号: CN103620398B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: D·赛德瑞斯;A·伊勒斯;R·杰克逊 申请(专利权)人: 基因徽型器件有限公司
主分类号: G01N27/447 分类号: G01N27/447;G01N27/453;B01D57/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 代理人: 赵蓉民
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 施加 连续 电场 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,所述装置包括:

电场施加组件,所述电场施加组件适合于产生具有离散电场分布的电场;

导电体积;和

电接口区域,所述电接口区域设置在所述导电体积和所述电场施加组件之间,所述电接口区域布置成使得在与所述导电体积间隔开的位置处通过所述电场施加组件将离散电场施加到所述电接口区域;

其中,所述电接口区域至少包括离子导电材料,所述离子导电材料布置成与所述导电体积相邻并接触所述导电体积;

从而通过所述电接口区域平滑化由所述电场施加组件施加的所述离散电场,以使得在所述导电体积内建立的所述电场分布基本连续。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,施加所述电场的所述位置与所述导电体积之间的距离至少是所述电接口区域在与所述距离和所述导电体积两者都垂直的方向上的厚度,优选地为至少两倍,更优选地为至少5倍,更加优选地为至少10倍,最优选地为至少100倍。

3.根据权利要求1或2所述的装置,其中,所述导电体积设置在基体中或所述基体上。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述电接口区域基本填充设置在所述基体中的腔。

5.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述导电体积的高度约等于或大于沿相同方向的所述接口区域的厚度。

6.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述导电体积的高度比沿相同方向的所述接口区域的厚度大1至5倍之间,优选大1至3倍之间,更优选地为大近似2倍。

7.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,施加所述电场的位置和所述导电体积之间的距离在0.1至0.8mm之间,优选在0.5至2.5mm之间。

8.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述电接口区域的厚度在0.1至100μm之间,优选在20至40μm之间。

9.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述导电体积的高度在0.1至500μm,优选在10至100μm之间。

10.根据权利要求3至9中任一项所述的装置,其中,所述腔设置有在所述腔的相对的壁之间延伸的至少一个柱状物。

11.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述导电体积是通道。

12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述通道是毛细管。

13.根据权利要求11或12所述的装置,其中,所述通道是直线的。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的装置,其中,所述通道是闭环形式,优选为圆形。

15.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述电场施加组件包括与所述电接口区域电接触的多个电极。

16.根据权利要求15所述的装置,其中,所述电场施加组件包括控制器,所述控制器适合于根据期望的场分布向每个电极施加电压。

17.根据权利要求15或16所述的装置,其中,所述电极沿符合所述导电体积的周边的方向间隔开。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的装置,其中,所述多个电极沿所述导电体积的一侧布置。

19.根据权利要求15至18中任一项所述的装置,其中,所述电场施加组件还包括多个第二电极,所述多个第二电极沿所述导电体积的与所述多个第一电极相对的一侧布置,从而在所述导电体积的相对两侧上形成电极对。

20.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述装置还包括电场测量组件,所述电场测量组件适合于测量所述导电体积内的电场,其中所述控制器适合于基于测量的电场改变施加的离散电场。

21.根据权利要求20所述的装置,其中,所述电场测量组件包括与所述电接口区域电接触的多个电极,所述电场测量组件的多个电极优选地布置在所述导电体积的与所述电场施加组件相对的一侧上。

22.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中,所述电场测量组件包括直接接触所述导电体积的多个电极。

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