[发明专利]非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供衬底，所述衬底具有表面，所述表面包含源极区域、漏极区域及沟道区域，所述沟道区域介于所述源极区域与所述漏极区域之间，所述衬底包含在所述衬底的所述表面上的氧化物半导体层、在上覆在所述沟道区域上的所述氧化物半导体层上的第一电介质层，及在所述第一电介质层上的第一金属层；

在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成第二金属层；及

处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层，以形成：

在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层中的重掺杂n型氧化物半导体；及

在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述第二金属层中的氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一金属层及所述氧化物上形成第二电介质层；及

移除上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述第二电介质层及所述氧化物的部分，以暴露上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述重掺杂n型氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

形成金属接触件，第一金属接触件接触上覆在所述源极区域上的所述重掺杂n型氧化物半导体，且第二金属接触件接触上覆在所述漏极区域上的所述重掺杂n型氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

移除所述第二金属层，以暴露上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物；

在所述第一金属层及所述氧化物上形成第二电介质层；及

移除上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述第二电介质层及所述氧化物的部分，以暴露上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述重掺杂n型氧化物半导体。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述第二金属层的金属包含镁、钛及锰的至少一者。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中所述氧化物半导体层的氧化物半导体包含InGaZnO、InZnO、InHfZnO、InSnZnO、SnZnO、InSnO、GaZnO及ZnO的至少一者。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述处理导致上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层中的氧扩散到上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述第二金属层中。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层包含在约200℃到500℃的温度下执行约30分钟到10小时的持续时间的热处理。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中所述氧化物从所述第二金属层的金属与来自所述氧化物半导体层的氧组合而形成。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中所述第二金属层的金属形成具有比所述氧化物半导体层中的氧化物低的吉布斯自由能的氧化物。

11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层氧化上覆在所述源极区域及漏极区域上的实质上所有所述第二金属层。

12.根据权利要求1及权利要求5到11中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：

在于上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成所述第二金属层之前，在所述第一金属层上及在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成第二电介质层；及

各向异性地蚀刻所述第二电介质层，以形成与所述第一金属层及所述第一电介质层相关联的电介质侧壁，以暴露所述第一金属层，且暴露上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层的部分。

13.一种根据权利要求1到12中任一权利要求所述的方法制造的装置。