[发明专利]半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于矫正产生在蓝宝石基板等半导体元件用基板的弯曲的半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法。

背景技术

发光二极管等半导体元件通过利用外延结晶生长在蓝宝石等半导体元件用基板的主面(研磨面)形成半导体膜、例如GaN系列化合物半导体膜且形成电极等来制造。半导体膜是一边加热半导体元件用基板一边成膜，其后冷却至常温。因此，因冷却时半导体元件用基板与半导体膜的热膨胀差，而产生向半导体膜侧凸出的弯曲。

为了矫正该弯曲，例如，专利文献1中揭示有使用以4.9×10⁴～4.9×10⁶Pa的压力按压的大型压制装置来矫正弯曲的技术。另外，专利文献2中揭示有通过对蓝宝石基板的内部聚光和扫描脉冲激光来改造内部从而矫正弯曲的技术。

专利文献1：日本特开2003-128499号公报

专利文献2：日本特开2010-165817号公报

在专利文献1所记载的技术中，需要在进行外延生长的MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，有机金属化学汽相淀积)装置中设置压制机构，装置成本增大并且不适合大量生产。另外，在增大以大量生产为目的的半导体元件用基板大小的要求中，还可能发生按压时的半导体元件用基板破裂等的发生频率变高从而产率下降的情况。

在专利文献2所记载的技术中，为了将激光照射至蓝宝石基板的内部而要求较高的表面粗糙度，所以研磨工序的负荷增大。另外，为了向规定位置照射激光而要求较高的位置精度，所以装置成本增加。另外，在于成膜之后照射激光来进行半导体元件用基板的改造的情况下，因为弯曲量根据成膜的膜的材质、膜厚等而变化或者即使为相同的成膜条件弯曲量仍产生偏差，所以有可能即使使激光的照射条件一定弯曲的矫正量仍不稳定，从而产率无法提高。

在本技术领域中，期待一种能够以高效率的且适合大量生产的方法来矫正半导体用基板的弯曲的半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法。

发明内容

本发明的一方式所涉及的装置是一种矫正半导体元件用基板的弯曲的弯曲矫正装置，其具备：喷射机构，其具有喷嘴，该喷嘴进行向上述半导体元件用基板中的主面的相反侧或成膜面的相反侧即背面喷射喷射材料的喷射处理；吸附台，其吸附上述半导体元件用基板的主面或成膜面来保持上述半导体元件用基板；移动机构，其按照使上述半导体元件用基板相对于由上述喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式来使上述吸附台移动；喷射处理室，其收容被保持于上述吸附台的上述半导体元件用基板，且在内部进行喷射处理；测定机构，其测定上述半导体元件用基板的弯曲量；以及控制装置，其基于预先设定的目标弯曲量与由上述测定机构测定出的上述半导体元件用基板的弯曲量之差，进行上述喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的上述半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。

本发明的一方式所涉及的装置由喷射机构等装置成本低的单元构成，并且能够进行如下的喷射处理：基于预先设定的目标弯曲量和由测定机构测定出的半导体元件用基板的弯曲量设定适当的喷射处理条件来矫正半导体元件用基板的弯曲。因此，根据该装置，能够以高效率的且适合大量生产的方法来矫正半导体用基板的弯曲。另外，因为该装置能够通过测定机构对已进行了喷射处理的半导体元件用基板的弯曲量进行测定且进行判断是否为目标弯曲量以下(目标弯曲量的允许范围内)的是否合格的判断，所以能够提高产率，并且能够高效地进行弯曲矫正处理。

在一实施方式中，上述吸附台可包括：吸附部，其设于载放上述半导体元件用基板的区域，且吸附并固定上述半导体元件用基板；以及净化部，其设于上述区域内且比上述吸附部更靠上述区域的外缘侧，且从在上述半导体元件用基板的外缘与吸附台之间形成的间隙向上述区域外喷射压缩空气。

半导体元件用基板在被吸附并固定于吸附台的状态下发生弯曲。因此，有可能在半导体元件用基板的外周端部在半导体元件用基板与吸附台之间形成间隙，喷射材料进入从而损伤在半导体元件用基板的主面形成有半导体膜的成膜面或主面。根据一实施方式所涉及的发明，因为通过净化部将压缩空气从半导体元件用基板与吸附台的间隙向载放有半导体元件用基板的区域的外侧喷射，所以能够防止喷射材料侵入至间隙。因此，能够防止半导体元件用基板因喷射材料而损伤。