[发明专利]发光二极管和基板

权利要求书

1.一种基板，该基板包括：

基体材料；以及

多个间隔开且基本上平行的导电晶须组件，所述晶须组件嵌入在所述基体材料中并在所述基板的第一表面与所述基板的相对的第二表面之间纵向延伸。

2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述晶须组件包括至少一个导电单晶晶须。

3.根据权利要求1所述的基板，其中，所述晶须组件包括至少一个单晶碳化硅晶须。

4.根据权利要求1所述的基板，其中，所述晶须组件包括至少一个单晶硅晶须。

5.根据权利要求1所述的基板，其中，所述晶须组件包括至少一个单晶氧化铝晶须。

6.根据权利要求1所述的基板，其中，所述晶须组件的横截面直径为大约1微米至大约3微米。

7.根据权利要求1所述的基板，其中，晶须组件在所述基板的所述第一表面处具有暴露的第一端面，并且所述第一端面具有(111)晶向横截面。

8.根据权利要求1所述的基板，其中，各个所述晶须组件包括被设置为与其它晶须至少部分地接触的多个单晶碳化硅晶须，以从所述第一表面延伸到所述第二表面并提供从所述第一表面延伸到所述第二表面的电路径。

9.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基体材料包括温度稳定性大于大约1000℃并且在大约1000℃下蒸气压小于大约1mm Hg的耐火材料。

10.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基体材料包括烧结陶瓷材料。

11.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基体材料包括氧化铝、氧化铝和碳化硅晶须、氧化铝和硅晶须、氧化锆和碳化硅晶须、以及氧化锆和硅晶须中的至少一项的烧结陶瓷。

12.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基体材料包括聚合物。

13.根据权利要求1所述的基板，其中，所述聚合物包括聚酰亚胺和聚砜中的至少一个。

14.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一表面被抛光以暴露所述晶须组件的(111)晶向横截面，以用于其上的外延晶体生长。

15.根据权利要求1所述的基板，其中，

所述晶须组件包括横截面直径为大约1微米至大约3微米的至少一个单晶碳化硅晶须；

所述基体材料包括氧化铝的烧结陶瓷；并且

所述晶须组件在所述基板的所述第一表面处具有暴露的第一端面，并且该第一端面具有碳化硅的(111)取向横截面。

16.根据权利要求15所述的基板，其中，所述基板的所述第一表面适合于在其上形成发光二极管（LED）。

17.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板的所述第一表面和第二表面中的至少一个适合于在其上形成发光二极管（LED）。

18.一种生成半导体二极管阵列的方法，该方法包括以下步骤：

为所述二极管形成基板，形成基板的步骤包括：

在基体材料中形成多个间隔开且基本上平行的导电晶须组件的基体，并且所述晶须组件在所述基体的第一表面与所述基体的相对的第二表面之间纵向延伸，并具有在所述第一表面中暴露的第一端面以及在所述第二表面中暴露的第二端面；以及

对至少所述基体的所述第一表面进行抛光，以提供所述晶须组件的抛光的第一端面，以用于在基体的所述第一表面上的晶体生长；

在所述第一表面上与所述晶须组件的暴露的第一端面外延地生长至少一个半导体层；

在所述半导体层上沉积第一电接触层，以用于提供与所述半导体层的第一电接触；以及

在所述基体的所述第二表面上沉积第二电接触层，该第二电接触层与所述晶须组件的所述第二端面接触，以用于经由基本上平行的晶须组件提供与所述半导体层的第二电接触。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述导电晶须组件包括硅和碳化硅中的至少一个。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述基体材料包括电绝缘材料，以用于将所述晶须组件彼此电绝缘。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述半导体包括III-氮化物半导体。