[发明专利]溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.溅射靶，其特征在于，作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1-40at%、Na：0.05-2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成，

Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，

含氧量为100-1000ppm。

2.权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，具有NaF化合物相、Na₂S化合物相、Na₂Se化合物相中的至少一种分散于靶底材中的组织，所述NaF化合物相、所述Na₂S化合物相和所述Na₂Se化合物相的平均粒径为5μm以下。

3.权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，靶底材中的金属相的平均粒径为10-100μm。

4.权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，具有将由NaF化合物粉末、Na₂S化合物粉末、Na₂Se化合物粉末中的至少一种和Cu-Ga合金粉末的混合粉末、

或NaF化合物粉末、Na₂S化合物粉末、Na₂Se化合物粉末中的至少一种和Cu-Ga合金粉末和Cu粉末的混合粉末组成的成形体在真空中、惰性气体中或还原性气氛中烧结的步骤。

5.权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，具有将NaF化合物粉末、Na₂S化合物粉末、Na₂Se化合物粉末中的至少一种和Cu-Ga合金粉末的混合粉末、

或NaF化合物粉末、Na₂S化合物粉末、Na₂Se化合物粉末中的至少一种和Cu-Ga合金粉末和Cu粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中热压的步骤。

6.权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，包括将NaF化合物粉末、Na₂S化合物粉末、Na₂Se化合物粉末中的至少一种和Cu-Ga合金粉末的混合粉末、

或NaF化合物粉末、Na₂S化合物粉末、Na₂Se化合物粉末中的至少一种和Cu-Ga合金粉末和Cu粉末的混合粉末使用热等静压法进行烧结的步骤。

7.权利要求4所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述成形体的烧结在700-950℃下进行。

8.权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述热压在500-900℃下进行。

9.权利要求6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述热等静压在500-900℃下进行。