[发明专利]基片处理装置有效
| 申请号: | 201280021001.3 | 申请日: | 2012-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN103518257A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 哈拉尔德·格罗斯;埃尔温·奇尚 | 申请(专利权)人: | 冯·阿德纳设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张建涛;车文 |
| 地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基片处理装置,所述基片处理装置包括:安装腔(1);和用于基片(3)的曝光的光源,其中,所述光源被布置在所述安装腔(1)内并且包括至少一盏灯(5),所述灯(5)被布置在至少局部透光的壳体(4)中,所述壳体(4)具有用于容纳灯(5)的真空密封腔;以及至少一个反射器元件(6),所述反射器元件(6)具有电连接件,并且被布置成在空间上邻近所述至少一盏灯(5)。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,所述壳体(4)包括至少一个管(41),所述管(41)由透光材料制成。
3.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,所述壳体(4)包括互相平行布置的至少两个板(42)和连接所述板(42)的至少两个板条(43),至少一个板(42)由透光材料构成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于,所述壳体(4)延伸通过所述安装腔(1)的至少一个壁(11,15),并且在所述安装腔(1)的外侧上具有至少一个开口(44),通过所述开口(44)能够从所述安装腔(1)的外部进入所述壳体(4)的腔。
5.如权利要求4所述的基片处理装置,其特征在于,所述至少一个开口(44)被形成为冷却剂连接部。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置,其特征在于,所述光源包括布置在一个平面内的至少两个杆状灯(5),并且,所述反射器元件(6)包括布置在与上述一个平面平行的一个平面内的至少一个导电板或导电涂层板。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基片处理装置,其特征在于,所述反射器元件(6)是所述壳体(4)的部件。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基片处理装置,其特征在于,所述反射器元件(6)是被涂敷到所述壳体(4)的部件上的金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冯·阿德纳设备有限公司,未经冯·阿德纳设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280021001.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种卡车的主动圆柱齿轮轴
- 下一篇:一种带定位结构的支承销
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





