[发明专利]电磁推进器

权利要求书

1.一种电磁推进系统，该电磁推进系统包括：

包括导电内表面的轴向不对称谐振腔，所述谐振腔适于在其中支持电磁（EM）驻波，所述EM驻波具有限定该谐振腔的z轴的振荡电场矢量；

其中，所述谐振腔不具有第二轴轴向对称性，并且

其中，所述EM驻波在所述谐振腔上感应出单向净力。

2.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中，所述轴向不对称谐振腔赤道方向不对称。

3.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中，所述轴向不对称谐振腔赤道方向对称。

4.根据权利要求1所述的电磁推进系统，所述电磁推进系统还包括：一个或多个信号端口，该一个或多个信号端口被配置成接收来自信号发生器的信号。

5.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中，在该谐振腔内的EM波具有大于大约1MHz且小于大约50GHz的工作频率。

6.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中，所述谐振腔的导电内表面包括以下中的至少一种：锂、钠、钾、铍、镁、钙、锶、钡、镭、锌、钼、镉、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钇、锆、铌、钯、银、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、汞、铝、镓、铟、锡、铊、铅、以及铋。

7.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中，与所述EM驻波的x-y平面平行的、谐振腔的导电内表面的截面大致为环形。

8.根据权利要求7所述的电磁推进系统，其中：

所述EM驻波的最低能量模式在x-y平面内仅具有一个电场波腹。

9.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中：

所述EM驻波在x-y平面内具有多于一个的电场波腹。

10.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中，所述谐振腔的内部容积被基本抽空。

11.根据权利要求1所述的电磁推进系统，所述电磁推进系统还包括：冷却单元，该冷却单元热耦接至所述谐振腔以保持所述谐振腔的导电内表面的温度低于预定温度。

12.根据权利要求11所述的电磁推进系统，其中：

所述谐振腔的导电内表面包括具有超导临界温度T_c的超导材料；并且

该预定温度低于所述超导临界温度T_c。

13.根据权利要求12所述的电磁推进系统，其中，该超导材料包括以下中的至少一种：铌、铌钛合金、MgB₂、YBCO、Bi₂Sr₂CuCu₂O₈、YaBaCuO、LaBaCuO、Nb₃Sn、TlBaCuO、La_2-xBa_xCuO₄、La_2-xSr_xCuO₄、PbMoS、V₃Ga、NbN、Nb₃Al、Nb₃(AlGe)、Nb₃Ge、I型超导体、II型超导体、陶瓷超导体、或具有高于4K度的T_c的高温超导体。

14.根据权利要求11所述的电磁推进系统，其中，冷却单元包括以下中的至少一个：辐射冷却部件、珀耳帖效应冷却部件、稀释致冷器、蒸汽压缩致冷器、逆turbo-Brayton冷却器、吸附式冷却器、低温冷却部件、斯特林冷却部件、脉冲管冷却部件、焦耳-汤姆逊冷却部件、逆布雷顿冷却器、或磁冷却器。

15.根据权利要求1所述的电磁推进系统，所述电磁推进系统还包括：

机械耦接至谐振腔的外壳，所述外壳被配置成保持和改变谐振腔的取向；并且

电耦接至外壳的控制电路，所述控制电路用于控制谐振腔的z轴的取向。

16.根据权利要求15所述的电磁推进系统，其中，所述外壳包括3轴万向节，所述3轴万向节提供谐振腔的z轴取向的6轴控制。

17.根据权利要求1所述的电磁推进系统，其中：

该导电内表面包括可调节表面，所述可调节表面可移动以改变轴向不对称谐振腔的形状。