[发明专利]研磨剂及研磨方法有效
| 申请号： | 201280020737.9 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103503118A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 吉田伊织;竹宫聪;朝长浩之 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨剂 研磨 方法 | ||
1.研磨剂，其用于以化学机械方式对非氧化物单晶基板进行研磨，其特征在于，
含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。
2.如权利要求1所述的研磨剂，其特征在于，所述氧化剂是高锰酸根离子。
3.如权利要求2所述的研磨剂，其特征在于，所述高锰酸根离子的含量为0.015质量％以上5质量％以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述氧化铈粒子的含量为0.05质量％以上15质量％以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述氧化铈粒子的平均二次粒径为0.5μm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述氧化硅粒子的平均二次粒径为0.5μm以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述氧化硅粒子是胶态二氧化硅。
8.如权利要求1～7中任一项所述的研磨剂，其特征在于，pH为11以下。
9.如权利要求8所述的研磨剂，其特征在于，pH为5以下。
10.如权利要求1～9中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述非氧化物单晶基板是碳化硅(SiC)单晶基板或氮化镓(GaN)单晶基板。
11.研磨方法，该方法是向研磨垫供给研磨剂、使作为研磨对象物的非氧化物单晶基板的被研磨面与所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，使用权利要求1～10中任一项所述的研磨剂作为所述研磨剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
