[发明专利]高电压测量系统有效
申请号: | 201280020470.3 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN103718049A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | T·德莱贝尔;E·莞德威克尔 | 申请(专利权)人: | 妍迪思公司;鲁汶天主教大学 |
主分类号: | G01R15/16 | 分类号: | G01R15/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 测量 系统 | ||
1.用于测量绝缘电缆的电压的测量装置,所述绝缘电缆包括至少一个中央导体、围绕所述至少一个中央导体的第一电介质层、围绕所述第一电介质层的半导体层以及围绕所述半导体层的电缆屏蔽,所述装置包括:
配置在所述电缆周围的感测电极组件,所述感测电极组件包括连接至所述半导体层的感测电极元件,以使感测电容器是由所述半导体层连同所述至少一个中央导体和至少所述绝缘电缆的所述第一电介质层形成;以及
连接至所述感测电极元件的电路,其特征在于,
所述装置进一步包括用于定义所述感测电极组件的有效感测面积的配置;
所述电路包括电流模式信号调节电路,所述电流模式信号调节电路的输入被连接至所述感测电极元件并被定位到所述电流模式信号调节电路的电路基准电位,所述电缆屏蔽被连接至所述电路基准电位,所述电流模式信号调节电路被配置成通过主动地向零驱动其输入阻抗而补偿所述半导体层的寄生阻抗。
2.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述用于定义有效感测面积的配置是由位于所述感测电极元件任一侧并连接至所述半导体层的第一和第二附加电极元件形成的。
3.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述用于定义有效感测面积的配置是由在所述感测电极元件任一侧的电缆屏蔽的边缘部分周围的第一和第二夹持设备形成的。
4.如前面任何一项权利要求所述的测量装置,其特征在于,所述组件进一步包括设置在至少所述感测电极元件之上的第二电介质层。
5.如权利要求4所述的测量装置,其特征在于,所述组件进一步包括设置在所述第二电介质层之上的静电屏蔽。
6.如权利要求5所述的测量装置,其特征在于,所述静电屏蔽连接至所述电缆屏蔽。
7.如权利要求5所述的测量装置,其特征在于,所述静电屏蔽是所述绝缘电缆的所述电缆屏蔽的一部分,其沿所述电缆延伸并在覆盖至少所述电极元件的第二电介质层之上。
8.如前面任何一项权利要求所述的测量装置,其特征在于,所述电流模式信号调节电路被提供以将其输入上感测到的输入电流转换成用于指示所述至少一个中央导体上的电压的输出电压。
9.如权利要求8所述的测量装置,其特征在于,所述电流模式信号调节电路包括具有积分电容器的电荷放大器。
10.如权利要求9所述的测量装置,其特征在于,所述积分电容器是良好选择的并热联系于所述感测电容器,以使所述感测电容器的温度依赖性被补偿。
11.如权利要求8所述的测量装置,其特征在于,所述电流模式信号调节电路包括电流-电压转换器、积分器和增益级。
12.如权利要求8所述的测量装置,其特征在于,所述电流模式信号调节电路包括基于运算放大器的Miller积分器。
13.如前面任何一项权利要求所述的测量装置,其特征在于,所述基准电位是接地电位。
14.如前面任何一项权利要求所述的测量装置,其特征在于,还包括与所述电极元件关联的温度传感器。
15.如前面任何一项权利要求所述的测量装置,其特征在于,还包括与所述电极元件形成连接的多轴导体。
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