[发明专利]用于电化学器件和光电器件的改进的氧化还原对

权利要求书

1.一种式I的络合物：

M(La)_n(Xb)_m    (I)

其中：

M是第一行过渡金属，例如钴；

n是从1到6的整数，且a是由1到n的整数(1、...、n)组成的第一集合的连续数字，使得具有n个配位体L1、...、Ln；

m是0或从1到5的整数，且b是由0和1到m的整数(0、...、m)组成的第二集合的连续数字，使得如果m＞0，则有m个配位体X1、...、Xm；

其中n和m等于存在于金属M上的配位体的适当数量；

任何La(L1、...、Ln)独立地选自单齿配位体、双齿配位体或三齿配位体，条件是La(L1、...、Ln)中的至少一个包括取代的或未被取代的环或环系统，所述环或环系统包括五元含N杂环和/或包括至少两个杂原子的六元环，所述至少两个杂原子中的至少一个是氮原子，所述五元或六元杂环分别包括至少一个双键；

Xb独立地是单齿共配位体。

2.根据权利要求1所述的络合物，其中所述n个配位体La(L1、...、Ln)中的至少一个包括吡啶环或包含吡啶环的环系统，所述吡啶环或包含吡啶环的环系统通过共价键连接至或稠合至所述五元杂环和/或所述包括至少两个杂原子的六元环，其中所述吡啶环或包含吡啶环的环系统可以被进一步取代或可以不被进一步取代。

3.根据前述权利要求中任一项所述的络合物，其中所述的n个配位体La(L1、...、Ln)中的任何一个独立地选自下面式(1)-(63)的化合物：

其中：

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸中的任何一个，如果适用的话，可独立地选自H、卤素(F、Cl、Br、I)、-NO₂、-NH₂、-OH，和选自包括1至50个碳和0至20个杂原子的烃类；

R′和R″独立地选自取代基-CH₂R¹、-CHR¹R²和-CR¹R²R³；

条件是如果所述化合物是根据上面式(1)至(5)中的任何一个的化合物，则所述取代基R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸中的至少一个，如果适用的话，独立地选自下面式(A-1)至(G-2)的取代基：

其中：

虚线代表所述(A-1)至(G-2)的取代基连接在所述式(1)-(63)的化合物上的键；且

取代基R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆，只要存在，独立地选自H、卤素(F、Cl、Br、I)、-NO₂、-NH₂、-OH，和选自包括1至50个碳和0至20个杂原子的烃类。

4.根据前述权利要求中任一项所述的络合物，其中所述配位体La(L1、...、Ln)中的至少一个独立地选自下面式(1-2)至(3-2)的化合物：

其中：

所述配位体包括至少一个取代基R¹、R³、R⁵、R⁶、R⁸，所述至少一个取代基R¹、R³、R⁵、R⁶、R⁸选自如权利要求3中定义的取代基(A-1)至(G-2)。