[发明专利]用于光电设备的材料

权利要求书

1.一种光电设备，所述光电设备具有包括含有式I和II结构单元的聚合物的电致发光层，

其中，R¹和R²独立地为C_22-44烃基、含有一个或多个S、N、O、P或Si原子的C_22-44烃基、氧杂烷基杂芳基或其组合;

R³和R⁴独立地为H,C_1-44烃基或含有一个或多个S、N、O、P或Si原子的C_1-44烃基，或者R³和R⁴结合起来形成含有多达三个S、N、O、P或Si异质原子的C_2-10单环或者双环；以及

X是S、Se或其组合。

2.根据权利要求1所述的光电设备，其中X是S。

3.根据权利要求1所述的光电设备，其中X是Se。

4.根据权利要求1所述的光电设备，其中R¹和R²是C_22-44烃基。

5.根据权利要求1所述的光电设备，其中R¹和R²是-Ar(OCH₂CH₂(CH₂)_m)_nOR⁵，

其中，m是0或1；

n的范围在约20与约500之间；以及

R⁵是低级烷基。

6.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式I结构单元是

7.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式I结构单元是

其中R^1a和R^2a独立地是–(OCH₂CH₂(CH₂)_m)_nOR⁵；

m是0或1；

n的范围在约20与约500之间；以及

R⁵是低级烷基。

8.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式I结构单元是

其中，PEG是–CH₂CH₂(OCH₂CH₂)_nOR⁵；

n的范围在约20与约500之间；以及

R⁵是低级烷基。

9.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式I结构单元是

其中，PEG是–CH₂CH₂(OCH₂CH₂)_nOR⁵；

n的范围在约20与约100之间；以及

R⁵是低级烷基。

10.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式II结构单元是

11.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式II结构单元是

12.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述式II结构单元是