[发明专利]用于熔融半导体材料的容器及其制造方法

权利要求书

1.一种构造成装纳熔融半导体材料的容器，所述容器包括：

包含第一熔凝二氧化硅的内衬，所述内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁；以及

包含第二熔凝二氧化硅的背衬，该背衬靠近所述内衬的外表面，其中

所述内衬的总杂质含量小于或等于100ppbw，并且

所述第一熔凝二氧化硅的孔隙率小于所述第二熔凝二氧化硅的孔隙率。

2.如权利要求1所述的容器，其特征在于，所述第一熔凝二氧化硅的杂质含量为：小于或等于30ppbw的碱金属，小于或等于10ppbw的碱土金属，小于或等于1ppbw的有色金属，小于或等于0.05ppbw的难熔金属，小于或等于0.05ppbw的贵金属，以及小于或等于0.05ppbw的稀土金属。

3.如权利要求1-2中任一项所述的容器，其特征在于，所述第一熔凝二氧化硅包含小于或等于1000ppm的水。

4.如权利要求1-3中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬还包含至少一种选自氧化铝和氧化硼的杂质。

5.如权利要求1-4中任一项所述的容器，其特征在于，所述第一熔凝二氧化硅的总杂质含量小于所述第二熔凝二氧化硅的总杂质含量。

6.如权利要求1-5中任一项所述的容器，其特征在于，所述第一熔凝二氧化硅的总孔隙率小于或等于5体积%。

7.如权利要求1-6中任一项所述的容器，其特征在于，所述第二熔凝二氧化硅的总孔隙率小于或等于80体积%。

8.如权利要求1-7中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬的内表面的RMS表面粗糙度小于100nm。

9.如权利要求1-8中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬的外表面的RMS表面粗糙度大于1nm。

10.如权利要求1-9中任一项所述的容器，其特征在于，内衬侧壁的内含物密度小于2个内含物/cm³。

11.如权利要求1-10中任一项所述的容器，其特征在于，内衬侧壁的厚度为1-8mm。

12.如权利要求1-11中任一项所述的容器，其特征在于，所述背衬的侧壁厚度小于或等于20mm。

13.如权利要求1-12中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬的外表面与所述背衬的内表面发生紧密物理接触。

14.如权利要求1-13中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬的外表面与所述背衬的内表面发生紧密物理接触，并且容器侧壁的总厚度小于或等于20mm。

15.如权利要求1-14中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬的外表面和所述背衬的内表面在它们之间限定了间隙。

16.如权利要求1-15中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬包括第一子层和第二子层，所述第二子层位于所述第一子层和背衬之间。

17.如权利要求1-16中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬的基底和内衬的侧壁在曲率半径至少为2mm的角处相交。

18.如权利要求1-17中任一项所述的容器，其特征在于，所述内衬构造成抑制背衬的杂质扩散进入内部空间中所装纳的熔融半导体材料中。

19.如权利要求1-18中任一项所述的容器，其特征在于，所述背衬构造成对内衬以及内部空间中所装纳的熔融半导体材料进行绝热。

20.一种制造容器的方法，该容器构造成装纳熔融半导体材料，所述方法包括：

形成包含第一熔凝二氧化硅制品的内衬，所述内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁；以及

形成包含第二熔凝二氧化硅制品的背衬，该背衬靠近所述内衬的外表面，其中

所述内衬的总杂质含量小于或等于100ppbw，并且

所述第一熔凝二氧化硅的孔隙率小于所述第二熔凝二氧化硅的孔隙率。