[发明专利]磁性片和使用其的非接触受电装置、电子设备及非接触充电装置有效

专利信息
申请号: 201280020139.1 申请日: 2012-04-24
公开(公告)号: CN103493158A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 泽孝雄;山田胜彦;齐藤忠雄 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: H01F38/14 分类号: H01F38/14;H01F1/153;H01F1/16;H02J17/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磁性 使用 接触 装置 电子设备 充电
【权利要求书】:

1.一种磁性片,具备多个磁性薄带和树脂薄膜部的层叠体,其特征在于,

上述层叠体具备在5~25张的范围内层叠的上述磁性薄带,在上述磁性薄带上设置有具有1mm以下(包含0)的宽度的切口部,

在设一个上述树脂薄膜部上所配置的上述磁性薄带的外周区域的合计外周长为A、上述磁性薄带上所设置的上述切口部的合计长度为B时,上述切口部的合计长度B相对于上述磁性薄带的合计外周长A之比(B/A)为2以上25以下的范围。

2.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述磁性薄带和上述树脂薄膜部交替地层叠。

3.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述层叠体具备1张以上的、上述切口部的宽度全部为1mm以下(包含0)的上述磁性薄带。

4.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述层叠体为,作为上述磁性薄带,具备1张以上的具有由如下一般式表示的组成的非晶体合金薄带,

一般式:Fe100-a-b-cMaXbTc

(式中,M是从Ni以及Co中选出的至少1种元素,T是从Mn、Cr、Ti、Zr、Hf、Mo、V、Nb、W、Ta、Cu、Sn以及稀土类元素中选出的至少1种元素,X是从B、Si、C以及P中选出的至少1种元素,a、b以及c是满足0≤a≤25原子%、10≤b≤35原子%、0≤c≤5原子%的数)。

5.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述切口部具有将上述磁性薄带切开的形状。

6.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述切口部具有将上述磁性薄带的一部分切断的形状。

7.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述层叠体具备1张以上的具有5~30μm的范围的板厚的上述磁性薄带。

8.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述层叠体具备1张以上的在进行了180度密着折弯时不破坏的上述磁性薄带。

9.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述层叠体具备1张以上的具有15ppm以上的饱和磁致伸缩常数的上述磁性薄带。

10.如权利要求1记载的磁性片,其特征在于,

上述层叠体具备1张以上的具有1.2T以上2.1T以下的范围的饱和磁通密度的上述磁性薄带。

11.一种非接触受电装置,其特征在于,具备:

受电线圈,具有螺旋线圈;

整流器,对在上述受电线圈中产生的交流电压进行整流;

二次电池,被充电由上述整流器整流后的直流电压;以及

权利要求1记载的磁性片,配置在上述螺旋线圈与上述二次电池之间、以及上述螺旋线圈与上述整流器之间中的至少1个位置。

12.一种电子设备,其特征在于,具备:

非接触受电装置,具备具有螺旋线圈的受电线圈、对在上述受电线圈中产生的交流电压进行整流的整流器、以及被充电由上述整流器整流后的直流电压的二次电池;

电子设备主体,具备被从上述二次电池供给上述直流电压而动作的电子器件和安装有上述电子器件的电路基板;以及

权利要求1记载的磁性片,配置在上述螺旋线圈与上述二次电池之间、上述螺旋线圈与上述整流器之间、上述螺旋线圈与上述电子器件之间以及上述螺旋线圈与上述电路基板之间中的至少1个位置。

13.一种非接触充电装置,其特征在于,具备:

权利要求12记载的电子设备;以及

供电装置,具备与上述电子设备的上述受电线圈非接触地配置的供电线圈、向上述供电线圈施加交流电压的电源以及对位用的磁体,

上述非接触充电装置在通过上述磁体将上述电子设备进行了对位的基础上,将在上述供电线圈中产生的磁通向上述受电线圈传递而非接触地传送电力。

14.如权利要求13记载的非接触充电装置,其特征在于,

上述磁体为Nd-Fe-B基磁体。

15.如权利要求13记载的非接触充电装置,其特征在于,

上述磁性片作为磁屏蔽或者电感器而配置。

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