[发明专利]半导体基板处理系统

权利要求书

1.一种处理系统，包含：

第一移送腔室，所述第一移送腔室能够移送基板至耦接至所述第一移送腔室的一个或更多个处理腔室或从所述一个或更多个处理腔室接收基板；及

第一处理腔室，所述第一处理腔室用以沉积一个或更多个III-V族材料，所述第一处理腔室耦接至所述移送腔室，所述第一处理腔室进一步包含：

基板支撑件，所述基板支撑件安置于所述处理腔室中以支撑位于所述处理腔室中所需位置的基板的处理表面；

喷射器，所述喷射器安置至所述基板支撑件的第一侧且具有提供第一处理气体的第一流动路径和提供独立于所述第一处理气体的第二处理气体的第二流动路径，其中所述喷射器被放置以提供所述第一处理气体和所述第二处理气体遍及所述基板的所述处理表面；

排气口，所述排气口安置至所述基板支撑件的第二侧，与所述喷射器相对，以从所述处理腔室排出所述第一处理气体和所述第二处理气体；及

喷淋头，所述喷淋头安置于所述基板支撑件上方以提供所述第一处理气体至所述基板的所述处理表面。

2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一处理腔室进一步包括第一气源和第二气源，所述第一气源耦接至所述喷射器以提供所述第一处理气体，其中所述第一处理气体包含第III族元素，所述第二气源耦接至所述喷射器以提供所述第二处理气体，其中所述第二处理气体包含第V族元素。

3.如权利要求1至2中任何一项权利要求所述的处理系统，进一步包含：

第二移送腔室；及

一个或更多个中间负载锁定腔室，所述一个或更多个中间负载锁定腔室将所述第二移送腔室耦接至所述第一移送腔室。

4.如权利要求3所述的处理系统，进一步包含：

气源，所述气源耦接至所述一个或更多个中间负载锁定腔室，当基板被放在所述一个或更多个中间负载锁定腔室内时，所述气源暴露所述基板至气体。

5.如权利要求3所述的处理系统，其中所述第一移送腔室和所述第二移送腔室具有一个或更多个独立受控的腔室参数。

6.如权利要求5所述的处理系统，其中所述一个或更多个独立受控的腔室参数包括压力、净化气流、水分含量或残留气体水平之一或更多。

7.如权利要求3所述的处理系统，进一步包含：

第二处理腔室，所述第二处理腔室用等离子体清洁基板；及

第三处理腔室，所述第三处理腔室用以沉积高k的介电材料，其中所述第二处理腔室和所述第三处理腔室耦接至所述第二移送腔室。

8.如权利要求7所述的处理系统，进一步包含：

第四处理腔室，所述第四处理腔室用以使基板退火，其中所述第四处理腔室耦接至所述第一移送腔室。

9.如权利要求8所述的处理系统，进一步包含：

第五处理腔室，所述第五处理腔室用以沉积一个或更多个III-V族材料，所述第五处理腔室耦接至所述第一移送腔室。

10.如权利要求9所述的处理系统，其中所述第一处理腔室沉积n型III-V族材料且所述第五处理腔室沉积p型III-V族材料。

11.如权利要求1至2中任何一项权利要求所述的处理系统，其中所述第一处理腔室进一步包含：

第一壳体，所述第一壳体围绕所述第一处理腔室且给排气系统通风；及

第二壳体，所述第二壳体邻接于所述第一壳体安置，其中所述第一壳体经由所述第一壳体与所述第二壳体之间的出入口有选择地对所述第二壳体开放。