[发明专利]薄膜晶体管构造、以及具备该构造的薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 201280019704.2 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103493210B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 前田刚彰;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 构造 以及 具备 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管构造，在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源／漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的特征在于，
所述氧化物半导体层是第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，
该第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在源／漏电极及保护膜侧，
该第2氧化物半导体层包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧，并且
所述第1氧化物半导体层和所述源／漏电极及保护膜直接接触。
2.一种薄膜晶体管构造，在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、蚀刻阻挡层和源／漏电极，该薄膜晶体管构造的特征在于，
所述氧化物半导体层是第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，
该第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在蚀刻阻挡层及源／漏电极侧，
该第2氧化物半导体层包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧，并且
所述第1氧化物半导体层和所述蚀刻阻挡层及源／漏电极直接接触。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管构造，其特征在于，
所述第1氧化物半导体层，作为金属元素还包含从由Al、Ga及Sn构成的组中选择的1种以上的元素。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管构造，其特征在于，
所述第1氧化物半导体层，作为金属元素还包含从由Al、Ga及Sn构成的组中选择的1种以上的元素。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管构造，其特征在于，
所述保护膜通过化学气相沉积CVD法形成。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管构造，其特征在于，
所述蚀刻阻挡层通过化学气相沉积CVD法形成。
7.一种薄膜晶体管，其具备权利要求1～6的任一项所述的薄膜晶体管构造。
8.一种显示装置，其具备权利要求7所述的薄膜晶体管。
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