[发明专利]二氧化硅负载催化剂有效
| 申请号: | 201280019327.2 | 申请日: | 2012-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN103476491A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 远藤聪;加藤高明 | 申请(专利权)人: | 旭化成化学株式会社 |
| 主分类号: | B01J23/28 | 分类号: | B01J23/28;B01J23/31;B01J23/34;B01J27/057;C07C253/24;C07C255/08;C07B61/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二氧化硅 负载 催化剂 | ||
1.一种二氧化硅负载催化剂,其为在通过丙烷或异丁烷的气相催化氨氧化反应来制造对应的不饱和腈时使用的二氧化硅负载催化剂,其含有下述式(1)所示的金属氧化物:
MoVaNbbXcTdZeOn…(1)
式(1)中,X表示选自Sb和Te中的至少1种以上的元素,T表示选自Ti、W、Mn和Bi中的至少1种以上的元素,Z表示选自La、Ce、Yb和Y中的至少1种以上的元素;a、b、c、d和e分别处于0.05≤a≤0.5、0.01≤b≤0.5、0.001≤c≤0.5、0≤d≤1、0≤e≤1的范围,n为满足化合价的平衡的值,
所述二氧化硅负载催化剂的平均孔径为60~120nm,总孔容为0.15cm3/g以上,比表面积为5~25m2/g,并且由基于X射线衍射的(001)峰的半值宽度求出的微晶尺寸为40~250nm。
2.根据权利要求1所述的二氧化硅负载催化剂,其中,孔径小于60nm的细孔的孔容相对于总孔容小于30%,并且孔径超过120nm的细孔的孔容相对于总孔容小于30%。
3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅负载催化剂,其中,二氧化硅的负载量相对于包含所述金属氧化物和二氧化硅的催化剂的总质量为20~70质量%。
4.一种二氧化硅负载催化剂的制造方法,其具有以下的工序(I)~(IV):
工序(I),制备原料配制液,所述原料配制液含有Mo、V、Nb、X、T和Z,且相对于1个Mo原子的V的原子比a、Nb的原子比b、X的原子比c、T的原子比d和Z的原子比e分别为0.05≤a≤0.5、0.01≤b≤0.5、0.001≤c≤0.5、0≤d≤1和0≤e≤1;
工序(II),将所述原料配制液干燥,得到干燥粉体;
工序(III),将所述干燥粉体在200~400℃下进行前段烧成,得到前段烧成体;
工序(IV),将所述前段烧成体在600~750℃下进行正式烧成,得到烧成体,
所述原料配制液含有:相对于二氧化硅原料的总质量为0~30质量%的平均一次颗粒直径为3nm以上且小于20nm的硅溶胶(i)、相对于二氧化硅原料的总质量为30~70质量%的平均一次颗粒直径为20nm以上且100nm以下的硅溶胶(ii)、相对于二氧化硅原料的总质量为30~70质量%的平均一次颗粒直径为50nm以下的粉体二氧化硅,硅溶胶(i)、硅溶胶(ii)和粉体二氧化硅的总和按二氧化硅基准计为100质量%。
5.一种制造不饱和腈的方法,其通过使用权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅负载催化剂进行丙烷或异丁烷的气相催化氨氧化反应来制造对应的不饱和腈。
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