[发明专利]用于触摸感测的像素内滤光传感器技术

权利要求书

1.一种触敏显示设备，包括：

红外光源；

波导，所述波导被配置成接收由所述光源发射的红外光并且使接收到的红外光中的至少一些红外光在所述波导内经历全内反射；

抑制层，所述抑制层相对于所述波导来放置以便在触摸输入被提供时接触所述波导，所述抑制层被配置成导致抑制接收到的红外光在所述波导内在所述抑制层与所述波导之间的接触点处的全内反射，以使得在所述波导内经历全内反射的接收到的红外光中的一些红外光在所述接触点处从所述波导逃逸；以及

像素内传感器显示器，所述像素内传感器显示器被配置成显示通过所述波导和所述抑制层能感知的图像，并且包括各光电传感器，所述各光电传感器具有与所述图像的每一像素对应的光电传感器并且被配置成感测在所述接触点处从所述波导逃逸的所述红外光中的至少一些红外光。

2.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个对红外光敏感而相比于红外光而言对可见光较不敏感。

3.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个对红外光敏感而对可见光不敏感。

4.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括：

被配置成吸收可见光并且透射红外光的第一层；以及

被配置成感测透射过第一层的红外光的第二层。

5.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括：

被配置成吸收具有波长在400和700纳米之间的光并且透射具有波长长于700纳米的光的第一层；以及

被配置成感测透射过第一层的具有波长在700和880纳米之间的光的第二层。

6.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括氢化硅锗合金（a-SiGe:H）。

7.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括微晶硅。

8.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括：

具有1.7至1.8eV有效带隙的第一层；以及

被配置成感测透射过第一层的光的第二层。

9.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括：

具有厚度为约0.2至0.5微米并且包括高掺杂p型非晶硅的第一层；以及

被配置成感测透射过第一层的光并且包括氢化硅锗合金（a-SiGe:H）和微晶硅中的至少一者的第二层。

10.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括：

具有厚度为约0.2至0.5微米并且包括高掺杂n型非晶硅的第一层；以及

被配置成感测透射过第一层的光并且包括氢化硅锗合金（a-SiGe:H）和微晶硅中的至少一者的第二层。

11.如权利要求1所述的触敏显示设备，其特征在于，所述各光电传感器中的每一个包括：

包括三元合金的第一层；以及

被配置成感测透射过第一层的光并且包括氢化硅锗合金（a-SiGe:H）和微晶硅中的至少一者的第二层。

12.如权利要求11所述的触敏显示设备，其特征在于，所述三元合金包括锗氮比（a-SiGeN）。

13.如权利要求11所述的触敏显示设备，其特征在于，所述三元合金包括锗氧比（a-SiGeO）。

14.如权利要求11所述的触敏显示设备，其特征在于，所述三元合金包括锗碳比（a-SiGeC:H）。

15.如权利要求11所述的触敏显示设备，其特征在于，所述三元合金包括a-SiGeN:H层。