[发明专利]用于生产多晶层的方法

权利要求书

1.一种用于生产一种多晶层的方法，该方法包括以下步骤：

-将一种层序列施加到一个衬底上，该层序列包括至少

-一个具有杂质的无定形起始层，

-一个金属活化剂层以及

-一个基于钛或氧化钛、被安排在该起始层与该活化剂层之间并且用于从该起始层回收这些杂质的清洁层，

；并且

-为了形成一个多晶最终层的目的，在施加该层序列后进行热处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，这些杂质是硼杂质。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过物理气相沉积（PVD）来施加该无定形起始层。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该清洁层的层厚度是在2nm与10nm之间的范围内，尤其是在2nm与4nm之间的范围内。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在600℃与800℃之间的范围内的温度下进行该热处理。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该衬底是单板安全玻璃。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该无定形起始层包含至少一种半导体材料，尤其是硅和/或锗。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该无定形起始层具有的厚度在10nm与1200nm之间。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该活化剂层具有的厚度小于该无定形起始层的厚度，尤其是特征在于这些层厚度的比率是在1:1.1与1:2.0之间的范围内。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该活化剂层是基于一种过渡金属生产的。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该活化剂层沉积在该衬底上，并且该多晶最终层是在该衬底上形成的。

12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该无定形起始层沉积在该衬底上，并且该多晶最终层是在该衬底上的一个金属最终层上形成的。

13.一种用于设定在多晶硅中的掺杂的方法，包括以下步骤：

-向一个衬底施加一种层序列，该层序列包括至少一个具有杂质的无定形起始层，一个金属活化剂层，以及一个基于钛或氧化钛、被安排在该起始层与该活化剂层之间的清洁层；并且

-为了形成一种多晶最终层的目的，在施加该层序列后进行热处理；

其中通过对该钛层厚度的适当选择来设定该掺杂。