[发明专利]在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法

权利要求书

1.一种在衬底中生成孔或凹进或井的方法，所述方法包括如下步骤：

a）提供室温下为电绝缘或半导电的衬底，并将所述衬底放置在被连接到用户控制的电压源的至少两个电极之间，

b）在所述衬底的区域中使衬底材料熔化，在所述区域将要通过使用激光束、优选为聚焦的激光束、以及可选地经由这些电极向所述衬底施加的AC电压来加热所述区域而生成所述孔或凹进或井，

c）借助所述用户控制的电压源和所述电极在所述衬底的所述区域的两端施加用户限定了幅度的电压，所述电压足以引起通过所述衬底或所述区域的电流增加，从而将限定量的电能施加到所述衬底，并从所述衬底耗散电能，

其中，所述衬底夹在第一和第二调整层之间，所述第一和第二调整层位于所述衬底的相反侧面上，所述第一调整层位于在步骤b）中暴露在所述激光束下、优选为所述聚焦的激光束下的所述衬底的一个侧面上，所述第一调整层允许限定将要生成所述孔或凹进或井的所述区域的尺寸、优选为横截面，允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积，并允许使衬底表面屏蔽热，并且

所述第二调整层位于与所述第一调整层位于其上的所述侧面相反的侧面上，所述第二调整层允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积，并允许使衬底表面屏蔽热。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二调整层由具有在固态和液态之间或固态和气态之间转变的材料制成，所述转变发生在从室温到所述衬底的熔化温度的温度范围内、或者所述转变在步骤b）中所使用的所述聚焦的激光束施加的能量达到限定量时发生。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二调整层由相同的材料或不同的材料制成。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二调整层各自独立地由选自以下组的材料制成，这些材料包括：聚合物，特别是聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、乙烯丙烯橡胶、无机硅橡胶、带有合成丙烯酸类胶粘剂的PVC。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二调整层各自独立地具有的厚度范围为1微米～1毫米，优选10微米～500微米，更优选15微米～300微米，更优选20微米～200微米，甚至更优选20微米～100微米。

6.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一调整层具有调整区域，所述调整区域邻近将要生成所述孔或凹进或井的所述衬底区域并且与所述衬底区域接触，其中，执行步骤b）使得所述调整层在所述调整区域中被熔化和/或被蒸发，从而允许所述聚焦的激光束进入所述衬底区域，并且

其中，在步骤c）期间，通过所述电能的耗散，使所述调整层被局部或整体地置于所述调整区域中。

7.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一和第二调整层以这样一种方式被附接到所述衬底上，使得它们在相反的侧面上覆盖步骤a）中的所述衬底。

8.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一调整层用于在步骤b）和/或步骤c）期间在所述衬底上创建掩膜，所述掩膜仅暴露出将要生成孔或凹进或井的衬底的一个或多个区域。

9.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一和/或第二调整层用于限定或调整或限制被暴露于所述激光束下、优选步骤b）中的所述聚焦激光束下、和/或暴露于步骤b）中的AC电压的热下、和/或暴露于步骤c）中耗散的热下的所述衬底的表面区域。

10.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一和第二调整层用于通过将步骤c）期间被排出的材料吸收到一个或多个所述调整层中并由此避免所述被排出的材料直接再沉积到所述衬底表面上来改善围绕所引入的所述孔或凹进或井的区域的平坦度/表面质量，其中优选地，当在所述衬底中生成所述孔、凹进或井后，被吸收的材料随后与所述调整层一起被去除。

11.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，通过吸收由所述调整层吸收的所述激光束的波长的激光辐射、优选通过吸收由所述调整层吸收的所述聚焦的激光束的波长的激光辐射而直接加热所述调整层来执行步骤b）。