[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一半导体元件；

第一厚板部，所述第一厚板部被电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极上，并且所述第一厚板部由导体形成；

第二半导体元件，所述第二半导体元件被布置成所述第二半导体元件的主表面面向所述第一半导体元件的主表面；

第二厚板部，所述第二厚板部被电连接到所述第二半导体元件的下表面侧的电极上，并且所述第二厚板部由导体形成；

第三厚板部，所述第三厚板部被电连接到所述第一半导体元件的上表面侧的电极上，并且所述第三厚板部由导体形成；

第四厚板部，所述第四厚板部被电连接到所述第二半导体元件的上表面侧的电极上，并且所述第四厚板部由导体形成；

第一薄板部，所述第一薄板部由导体形成并被设置在所述第二厚板部上，且所述第一薄板部比所述第二厚板部薄；以及

第二薄板部，所述第二薄板部由导体形成并被设置在所述第三厚板部上，且所述第二薄板部比所述第三厚板部薄，

其中所述第一薄板部和所述第二薄板部被固定在一起并且被电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一薄板部被设置在所述第二厚板部的所述第一厚板部侧上；所述第二薄板部被设置在所述第三厚板部的所述第四厚板部侧上；并且在所述第一半导体元件的厚度方向上，所述第一薄板部和所述第二薄板部被电连接在所述第一厚板部的位置与所述第三厚板部的位置之间的位置处。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中在所述第一半导体元件的所述厚度方向上，所述第一薄板部和所述第二薄板部被电连接在所述第一厚板部的所述位置与所述第三厚板部的所述位置之间的中间位置处。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一薄板部被设置在所述第二厚板部的所述第一厚板部侧上；所述第二薄板部被设置在所述第三厚板部的所述第四厚板部侧上；所述第二薄板部水平地延伸并且与所述第三厚板部的下表面具有同一平面；并且所述第一薄板部包括向上弯曲以形成与所述第二薄板部的下表面接触的接合表面的形状部。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，进一步包括覆盖所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第一薄板部以及所述第二薄板部的树脂。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，进一步包括被电连接到所述第一厚板部、第二厚板部、第三厚板部和第四厚板部中的一个厚板部上的外部引线，并且所述外部引线露出于所述树脂的外部，其中所述第一薄板部和所述第二薄板部各自的厚度等于或大于所述外部引线的厚度。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，进一步包括被配置在所述第一厚板部上且与所述第一半导体元件相距预定间隔的第三半导体元件，其中所述树脂的侧表面具有凹陷部，在包括所述预定间隔的区域中，所述凹陷部在与所述第二薄板部相对的一侧上向内凹陷。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，进一步包括被配置在所述第二厚板部上且与所述第二半导体元件相距预定间隔的第四半导体元件，其中所述树脂的侧表面具有凹陷部，在包括所述预定间隔的区域中，所述凹陷部在与所述第一薄板部相对的一侧上向内凹陷。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中在形成于所述第一薄板部上并且接触所述第二薄板部的下表面的接合表面和形成于所述第二薄板部上并且接触所述第一薄板部的上表面的接合表面中的至少一个接合表面的区域上形成凹槽。