[发明专利]用于OLED器件的内部的光提取层在审

专利信息
申请号: 201280018245.6 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN103518269A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: G·S·西尔弗曼;R·Y·科罗特科夫;R·C·史密斯;J·刘;D·J·加斯帕;A·B·帕德梅普鲁马;王亮;B·施温茨;J·S·史文森 申请(专利权)人: 阿科玛股份有限公司;巴泰勒纪念研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 oled 器件 内部 提取
【权利要求书】:

1.一种发光器件,包括:

一个基片;

一种透明的导电材料;以及

至少一个光提取层,该光提取层包括至少一种多孔的金属或类金属的氧化物,其中该至少一个光提取层被定位在该基片与该透明的导电材料之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物由以下各项组成:二氧化钛、硅石、氧化锌、氧化铝、氧化锆、氧化镧、氧化铌、氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锶、氧化钒、氧化钼、氧化钙、或者两种或更多种此类材料的共混物。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物是一个介孔层。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括二氧化钛。

5.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括具有一个第一折射率的至少一种金属或类金属的氧化物以及具有一个第二折射率的多个孔,并且在可见波长区域内该至少一种金属或类金属的氧化物的第一折射率与这些孔的第二折射率之间的的差值是0.5或更大。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层在与另一个层的界面相邻的区域处被致密化。

7.根据权利要求6所述的发光器件,其中该致密化的区域包括比该至少一个光提取层的其余部分更高的折射率。

8.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括在至少一个第一光提取层与一个第二光提取层之间的界面,并且该至少一个光提取层在与该界面相邻的区域处被致密化。

9.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层在与一个界面相邻的区域处被致密化,该界面位于该至少一个光提取层与该基片之间。

10.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层具有一个梯度折射率,其中一个更高的折射率与该透明的导电材料相邻并且一个更低的折射率与该基片相邻。

11.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多于一个的多孔的金属或类金属的氧化物层并且这些多孔的金属或类金属的氧化物层中的每一个层具有一个梯度折射率。

12.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多于一个的多孔的金属或类金属的氧化物层并且这些多孔的金属或类金属的氧化物层中的每一个层由同样的材料和孔结构组成。

13.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多于一个的多孔的金属或类金属的氧化物层并且这些多孔的金属或类金属的氧化物层中的每一个层由不同的材料或孔结构组成。

14.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个小于约500nm的孔。

15.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个范围从约20到50nm的孔。

16.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个小于约20nm的孔。

17.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个小于约10nm的孔。

18.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多个范围从约5到8nm的孔。

19.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个填充有一种不同折射率材料的开放的或者封闭的孔。

20.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个填充有该透明导电材料的孔。

21.根据权利要求1所述的发光器件,其中在该至少一个光提取层和该透明导电材料的一个界面处,与该界面相邻的该至少一个光提取层的一个区域包括多个小于10nm的、填充有该透明导电材料的孔。

22.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括一种金属的或类金属的氧化物掺杂剂。

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