[发明专利]用于OLED器件的内部的光提取层在审
申请号: | 201280018245.6 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN103518269A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | G·S·西尔弗曼;R·Y·科罗特科夫;R·C·史密斯;J·刘;D·J·加斯帕;A·B·帕德梅普鲁马;王亮;B·施温茨;J·S·史文森 | 申请(专利权)人: | 阿科玛股份有限公司;巴泰勒纪念研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 器件 内部 提取 | ||
1.一种发光器件,包括:
一个基片;
一种透明的导电材料;以及
至少一个光提取层,该光提取层包括至少一种多孔的金属或类金属的氧化物,其中该至少一个光提取层被定位在该基片与该透明的导电材料之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物由以下各项组成:二氧化钛、硅石、氧化锌、氧化铝、氧化锆、氧化镧、氧化铌、氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锶、氧化钒、氧化钼、氧化钙、或者两种或更多种此类材料的共混物。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物是一个介孔层。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括二氧化钛。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括具有一个第一折射率的至少一种金属或类金属的氧化物以及具有一个第二折射率的多个孔,并且在可见波长区域内该至少一种金属或类金属的氧化物的第一折射率与这些孔的第二折射率之间的的差值是0.5或更大。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层在与另一个层的界面相邻的区域处被致密化。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中该致密化的区域包括比该至少一个光提取层的其余部分更高的折射率。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括在至少一个第一光提取层与一个第二光提取层之间的界面,并且该至少一个光提取层在与该界面相邻的区域处被致密化。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层在与一个界面相邻的区域处被致密化,该界面位于该至少一个光提取层与该基片之间。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层具有一个梯度折射率,其中一个更高的折射率与该透明的导电材料相邻并且一个更低的折射率与该基片相邻。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多于一个的多孔的金属或类金属的氧化物层并且这些多孔的金属或类金属的氧化物层中的每一个层具有一个梯度折射率。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多于一个的多孔的金属或类金属的氧化物层并且这些多孔的金属或类金属的氧化物层中的每一个层由同样的材料和孔结构组成。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多于一个的多孔的金属或类金属的氧化物层并且这些多孔的金属或类金属的氧化物层中的每一个层由不同的材料或孔结构组成。
14.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个小于约500nm的孔。
15.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个范围从约20到50nm的孔。
16.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个小于约20nm的孔。
17.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个小于约10nm的孔。
18.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一个光提取层包括多个范围从约5到8nm的孔。
19.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个填充有一种不同折射率材料的开放的或者封闭的孔。
20.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括多个填充有该透明导电材料的孔。
21.根据权利要求1所述的发光器件,其中在该至少一个光提取层和该透明导电材料的一个界面处,与该界面相邻的该至少一个光提取层的一个区域包括多个小于10nm的、填充有该透明导电材料的孔。
22.根据权利要求1所述的发光器件,其中该至少一种多孔的金属或类金属的氧化物包括一种金属的或类金属的氧化物掺杂剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿科玛股份有限公司;巴泰勒纪念研究所,未经阿科玛股份有限公司;巴泰勒纪念研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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