[发明专利]电压产生电路

权利要求书

1.一种电压产生电路，具有：

电流生成部，其生成将与发射极面积不同的2个双极型晶体管的基极-发射极间电压的差电压相应的电流和与PN结的顺向电压相应的电流相加得到的电流；和

输出部，其将所输入的电流转换成电压并输出，

其中，所述电流生成部具有：

第1双极型晶体管，其发射极端子配置于第1电位节点侧；

第2双极型晶体管，其具有比所述第1双极型晶体管的发射极面积大的发射极面积，发射极端子与所述第1双极型晶体管的发射极端子同电位，基极端子配置于所述第1双极型晶体管的集电极侧；

第1电阻元件，其一端配置于所述第1双极型晶体管的集电极侧，另一端配置于所述第1双极型晶体管的基极侧；

第2电阻元件，其一端配置于所述第2双极型晶体管的集电极侧，另一端连接于所述第1电阻元件的另一端；

第3电阻元件，其设置在所述第1双极型晶体管的基极端子与所述第1电位节点之间；

放大器部，其输入所述第1双极型晶体管的集电极侧的电压和所述第2双极型晶体管的集电极侧的电压，并输出与所输入的2个电压的差电压相应的电压；和

电压电流转换部，其输入所述放大器部的输出电压并将所述放大器部的输出电压转换成电流，将转换后的电流供给到所述第1电阻元件与所述第2电阻元件的连接节点并且供给到输出部。

2.根据权利要求1所述的电压产生电路，其中，

所述电流生成部在所述第1双极型晶体管的发射极端子与所述第1电位节点之间具有电阻元件。

3.根据权利要求1所述的电压产生电路，其中，

从所述电压电流转换部向所述第1电阻元件与所述第2电阻元件的连接节点的电流供给经由电阻元件来进行。

4.根据权利要求1所述的电压产生电路，其中，

向所述放大器部输入的2个电压是对所述第1双极型晶体管的集电极端子的电压进行分压后的电压和对所述第2双极型晶体管的集电极端子的电压进行分压后的电压。

5.根据权利要求1所述的电压产生电路，其中，

所述电压电流转换部具有：

第1MOS晶体管，其源极端子经由电阻元件连接于电位与所述第1电位节点不同的第2电位节点，漏极端子连接于所述第1电阻元件与所述第2电阻元件的连接节点；和

第2MOS晶体管，其源极侧经由电阻元件连接于所述第2电位节点，漏极侧连接于所述输出部的输入侧，

向所述第1MOS晶体管和所述第2MOS晶体管的栅极端子输入所述放大器部的输出电压。

6.一种电压产生电路，具有：

电流生成部，其生成与发射极面积不同的2个双极型晶体管的基极-发射极间电压的差电压相应的第1电流；和

输出部，其基于所述第1电流生成与PN结的顺向电压相应的第2电流，并且基于所述第1电流和所述第2电流生成电压并输出，

其中，所述电流生成部具有：

第1双极型晶体管，其发射极端子配置于第1电位节点侧；

第2双极型晶体管，其具有比所述第1双极型晶体管的发射极面积大的发射极面积，发射极端子与所述第1双极型晶体管的发射极端子同电位，基极端子配置于所述第1双极型晶体管的集电极侧；

第1电阻元件，其一端配置于所述第1双极型晶体管的集电极侧，另一端配置于所述第1双极型晶体管的基极侧；

第2电阻元件，其一端配置于所述第2双极型晶体管的集电极侧，另一端连接于所述第1电阻元件的另一端；

放大器部，其输入所述第1双极型晶体管的集电极侧的电压和所述第2双极型晶体管的集电极侧的电压，并输出与所输入的2个电压的差电压相应的电压；和

电压电流转换部，其输入所述放大器部的输出电压并将所述放大器部的输出电压转换成电流，将转换后的电流供给到所述第1电阻元件与所述第2电阻元件的连接节点并且供给到输出部。

7.根据权利要求6所述的电压产生电路，其中，

所述输出部具有：

电压生成部，其一端连接于所述第1电位节点，基于输入到另一端的电流生成与PN结的顺向电压相应的电压；

第3电阻元件，其一端连接于所述第1电位节点；和

第4电阻元件，其设置在所述电压生成部的另一端侧与所述第3电阻元件的另一端侧之间，

向所述第4电阻元件的连接节点分别供给所述第1电流。