[发明专利]带有封接材料层的玻璃基板、使用其的有机EL器件、及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201280018013.0 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103459341A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 益田纪彰;白神彻;荒川浩士 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C8/24 | 分类号： | C03C8/24;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 材料 玻璃 使用 有机 el 器件 电子器件 制造 方法 | ||
1.一种带有封接材料层的玻璃基板，其具备使封接材料烧结后的封接材料层，其特征在于，
所述封接材料至少包含无机粉末，
所述无机粉末包含玻璃粉末和耐火性填料，
所述无机粉末中的耐火性填料的含量为10体积％～35体积％，
所述封接材料层的表面粗糙度Ra小于0.5μm。
2.一种带有封接材料层的玻璃基板，其具备使封接材料烧结后的封接材料层，其特征在于，
所述封接材料至少包含无机粉末，
所述无机粉末包含玻璃粉末和耐火性填料，
所述无机粉末中的耐火性填料的含量为10体积％～35体积％，
所述封接材料层的表面粗糙度RMS小于1.0μm。
3.根据权利要求1或2所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述封接材料层的平均厚度小于10μm。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述封接材料层的表面未研磨。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃粉末为含有SnO的玻璃粉末。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃粉末作为玻璃组成以下述氧化物换算计含有35％～70％的SnO、10％～30％的P2O5。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃粉末为含有Bi2O3的玻璃粉末。
8.根据权利要求1～4中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃粉末作为玻璃组成以下述氧化物换算计含有20％～60％的Bi2O3、10％～35％的B2O3、5％～40％的ZnO、5％～30％的CuO+Fe2O3。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述耐火性填料的平均粒径D50为5μm以下。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述耐火性填料的最大粒径D99小于10μm。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述耐火性填料为选白堇青石、锆石、氧化锡、氧化铌、磷酸锆系陶瓷、NbZr(PO4)3中的一种或两种以上。
12.根据权利要求1～11中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述封接材料还包含颜料，该颜料为碳。
13.根据权利要求12所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，所述封接材料中的颜料的含量为0.2质量％～0.7质量％。
14.根据权利要求1～13中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，其用于有机电致发光器件的封接。
15.根据权利要求1～14中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，其用于激光封接。
16.根据权利要求1～15中任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板，其特征在于，其用于惰性气氛下的激光封接。
17.一种有机电致发光器件，其特征在于，其使用权利要求1～16中的任意一项所述的带有封接材料层的玻璃基板来制作。
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