[发明专利]用于UV处理、化学处理及沉积的设备与方法在审
申请号: | 201280017230.8 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103493185A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | A·班塞尔;D·R·杜鲍斯;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;S·巴录佳;S·A·亨德里克森;T·诺瓦克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 uv 处理 化学 沉积 设备 方法 | ||
1.一种处理腔室,包含:
腔室主体,所述腔室主体界定内部空间;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述内部空间中;
可透过UV光的气体分配喷头,所述可透过UV光的气体分配喷头设置在所述基板支撑件上方;
可透过UV光的窗口,所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方,其中在所述可透过UV光的气体分配喷头与所述可透过UV光的窗口之间形成气体空间,并且所述气体空间与所述内部空间透过所述可透过UV光的气体分配喷头而流体连通;及
UV单元,所述UV单元设置在所述可透过UV光的窗口外面,其中所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件而引导通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,所述可透过UV光的气体分配喷头包含:
主体,所述主体由基本上可透过UV光的材料形成;及
涂层,所述涂层配置为保护所述主体,而使所述主体免于暴露于流动通过所述可透过UV光的气体分配喷头的处理气体。
3.如权利要求2所述的处理腔室,其特征在于,所述主体由石英形成。
4.如权利要求3所述的处理腔室,其特征在于,所述涂层包含氧氮化铝膜或蓝宝石。
5.如权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,所述可透过UV光的窗口包含:
主体,所述主体由石英形成;及
涂层,所述涂层配置为保护所述主体,而使所述主体免于暴露于所述气体空间中的处理气体。
6.如权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,所述处理腔室还包含:
夹持构件,所述夹持构件设置在所述腔室主体的上开口中,其中所述夹持构件设置在所述可透过UV光的气体分配喷头与所述可透过UV光的窗口之间,并且在所述夹持构件内形成气体流动路径。
7.如权利要求6所述的处理腔室,其特征在于,所述夹持构件具有:
环形主体;
凸缘,所述凸缘从所述环形主体的上部径向地向外延伸,其中所述凸缘耦接到所述腔室主体;及
台阶,所述台阶从所述环形主体的下部径向地向内延伸,其中所述可透过UV光的气体分配喷头设置在所述台阶的顶表面上。
8.如权利要求7所述的处理腔室,其特征在于,所述气体流动路径包括:
水平槽,所述水平槽被形成在所述凸缘中,其中所述水平槽在所述凸缘的外表面处开放;
垂直槽,所述垂直槽被形成在所述环形主体中,其中所述垂直槽在上端处连接到所述水平槽;
充气增压室,所述充气增压室被形成在所述环形主体的所述下部中,其中所述垂直槽的下端向所述充气增压室开放;及
多个辐状孔,所述多个辐状孔被形成通过所述台阶,其中所述多个辐状孔中的每一个都具有向所述充气增压室开放的第一端和向所述台阶的内表面开放的第二端。
9.如权利要求7所述的处理腔室,其特征在于,所述处理腔室还包含:
输入岐管,所述输入岐管耦接到所述夹持构件,其中所述输入岐管的出口连接到形成在所述夹持构件中的所述气体流动路径;
远程等离子体源,所述远程等离子体源连接到所述输入岐管;及
气体板,所述气体板连接到所述输入岐管。
10.一种处理系统,包含:
传送腔室,所述传送腔室界定传送空间;
基板传送机械手,所述基板传送机械手设置在所述传送空间中;及
双空间处理腔室,所述双空间处理腔室耦接到所述传送腔室,其中所述双空间处理腔室包含:
根据权利要求1-9中任一项所述的第一处理腔室;和
根据权利要求1-9中任一项所述的第二处理腔室。
11.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述第一处理腔室和第二处理腔室中的流动路径是彼此的镜像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造