[发明专利]接合面制作方法、接合基板、基板接合方法、接合面制作装置以及基板接合体

权利要求书

1.一种接合基板制作方法，其用于制作形成有接合面的基板即接合基板，其中，

该接合基板制作方法包括如下步骤：

表面处理步骤，对基板的表面照射包含能量粒子的放射粒子来对基板的表面进行表面处理；以及

通过在经过上述表面处理后的基板表面上形成纯硅薄膜来制作上述接合基板。

2.根据权利要求1所述的接合基板制作方法，其中，

该接合基板制作方法还包括：

第2表面处理步骤，通过对所形成的上述纯硅薄膜的表面照射包含能量粒子的放射粒子来对所形成的上述纯硅薄膜的表面进行表面处理，从而制作上述接合基板。

3.根据权利要求1或2所述的接合基板制作方法，其中，

上述表面处理步骤包含对上述基板表面照射包含金属粒子的放射粒子的处理。

4.根据权利要求3所述的接合基板制作方法，其中，

上述金属粒子是过渡性金属。

5.根据权利要求4所述的接合基板制作方法，其中，

上述过渡性金属是铁。

6.一种基板接合方法，其中，

该基板接合方法包括如下步骤：

准备通过权利要求1～5中任一项所述的方法获得的接合基板；以及

将上述接合基板彼此接合起来。

7.根据权利要求6所述的基板接合方法，其中，

上述基板的主要材料是硅、氧化硅、氮化硅、蓝宝石、氧化铝、陶瓷材料、电介质材料、铁电体材料、或者高分子材料。

8.一种基板接合方法，其中，

该基板接合方法包括如下步骤：

准备通过权利要求1～5中任一项所述的方法获得的接合基板；

准备待与上述接合基板相接合的基板即M基板；以及

将上述接合基板与上述M基板接合起来。

9.根据权利要求8所述的基板接合方法，其中，

上述基板的主要材料是硅、氧化硅、氮化硅、蓝宝石、氧化铝、陶瓷材料、电介质材料、铁电体材料、或者高分子材料。

10.一种基板接合方法，其用于将基板接合起来，其中，

该基板接合方法包括如下步骤：

在待接合的一对基板中的至少一个基板上通过权利要求1～5所述的方法形成接合面；以及

将上述基板彼此在10^－5Pa以上的真空条件下或者大气中接合起来。

11.一种接合基板制作装置，其用于制作形成有接合面的基板即接合基板，其中，

该接合基板制作装置包括：

工艺室；

能量粒子源，其配置在上述工艺室内，用于对上述基板的表面照射包含能量粒子的放射粒子来对上述基板的表面进行表面处理；以及

硅源，其配置在上述工艺室内，用于在经过上述表面处理后的基板表面上形成纯硅薄膜。

12.根据权利要求11所述的接合基板制作装置，其中，

该接合基板制作装置还包括：

金属粒子源，其配置在上述工艺室内，用于对上述基板的表面照射包含金属粒子的放射粒子来对上述基板的表面进行表面处理。

13.根据权利要求12所述的接合基板制作装置，其中，

上述金属粒子源具有金属体。

14.根据权利要求13所述的接合基板制作装置，其中，

上述金属体被来自上述能量粒子源的放射粒子溅射而生成金属放射粒子。

15.根据权利要求13或14所述的接合基板制作装置，其中，

上述金属体能够移动。

16.根据权利要求11所述的接合基板制作装置，其中，

上述硅源是用于形成上述纯硅薄膜的CVD装置。

17.根据权利要求11所述的接合基板制作装置，其中，

上述硅源是用于形成上述纯硅薄膜的PVD装置。

18.根据权利要求11所述的接合基板制作装置，其中，

上述能量粒子源包括线式离子源。