[发明专利]阻气性膜有效

专利信息
申请号: 201280015972.7 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN103476579A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 上林浩行;冢村裕介;渡边修 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 田欣;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 气性
【权利要求书】:

1.阻气性膜,在高分子基材的至少一个面上依次层合了以下的[A]层和[B]层,

[A]层:铅笔硬度为H以上且表面自由能为45mN/m以下的交联树脂层,

[B]层:厚度为10~1000nm的含硅无机层。

2.根据权利要求1所述的阻气性膜,上述[B]层由含有锌化合物和硅氧化物的组成所构成。

3.根据权利要求2所述的阻气性膜,上述[B]层为以下的[B1]层和[B2]层中的任意一种,

[B1]层:包含氧化锌和二氧化硅和氧化铝的共存相的层,

[B2]层:包含硫化锌和二氧化硅的共存相的层。

4.根据权利要求3所述的阻气性膜,上述[B]层为[B1]层,该[B1]层由通过ICP发光分光分析法测定的锌(Zn)原子浓度为20~40atom%、硅(Si)原子浓度为5~20atom%、铝(Al)原子浓度为0.5~5atom%、氧(O)原子浓度为35~70atom%的组成所构成。

5.根据权利要求3所述的阻气性膜,上述[B]层为[B2]层,该[B2]层由相对于硫化锌和二氧化硅的合计而言硫化锌的摩尔分率为0.7~0.9的组成所构成。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的阻气性膜,其特征在于,上述[A]层的平均表面粗糙度Ra为1nm以下。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的阻气性膜,上述[B]层的平均表面粗糙度Ra为1.5nm以下。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的阻气性膜,上述[B]层表面或上述高分子基材和[A]层之间具有透明导电层。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的阻气性膜,上述透明导电层含有铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、含铝的氧化锌(Al/ZnO)、含有镓的氧化锌(Ga/ZnO)、金属纳米线、碳纳米管中的任意一种。

10.太阳能电池,具有权利要求1~9中任一项所述的阻气性膜。

11.显示体元件,具有权利要求1~9中任一项所述的阻气性膜。

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