[发明专利]阻气性膜有效
| 申请号: | 201280015972.7 | 申请日: | 2012-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN103476579A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 上林浩行;冢村裕介;渡边修 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
| 主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 田欣;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气性 | ||
1.阻气性膜,在高分子基材的至少一个面上依次层合了以下的[A]层和[B]层,
[A]层:铅笔硬度为H以上且表面自由能为45mN/m以下的交联树脂层,
[B]层:厚度为10~1000nm的含硅无机层。
2.根据权利要求1所述的阻气性膜,上述[B]层由含有锌化合物和硅氧化物的组成所构成。
3.根据权利要求2所述的阻气性膜,上述[B]层为以下的[B1]层和[B2]层中的任意一种,
[B1]层:包含氧化锌和二氧化硅和氧化铝的共存相的层,
[B2]层:包含硫化锌和二氧化硅的共存相的层。
4.根据权利要求3所述的阻气性膜,上述[B]层为[B1]层,该[B1]层由通过ICP发光分光分析法测定的锌(Zn)原子浓度为20~40atom%、硅(Si)原子浓度为5~20atom%、铝(Al)原子浓度为0.5~5atom%、氧(O)原子浓度为35~70atom%的组成所构成。
5.根据权利要求3所述的阻气性膜,上述[B]层为[B2]层,该[B2]层由相对于硫化锌和二氧化硅的合计而言硫化锌的摩尔分率为0.7~0.9的组成所构成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的阻气性膜,其特征在于,上述[A]层的平均表面粗糙度Ra为1nm以下。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的阻气性膜,上述[B]层的平均表面粗糙度Ra为1.5nm以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的阻气性膜,上述[B]层表面或上述高分子基材和[A]层之间具有透明导电层。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的阻气性膜,上述透明导电层含有铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、含铝的氧化锌(Al/ZnO)、含有镓的氧化锌(Ga/ZnO)、金属纳米线、碳纳米管中的任意一种。
10.太阳能电池,具有权利要求1~9中任一项所述的阻气性膜。
11.显示体元件,具有权利要求1~9中任一项所述的阻气性膜。
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