[发明专利]光半导体元件

权利要求书

1.一种光半导体元件，其特征在于，包括：

III族氮化物半导体基板，主面具有第一面取向；

第一III族氮化物半导体叠层部，生长于所述主面的第一区域上，且包含第一活性层；

III族氮化物半导体薄膜，经由接合层而接合于所述主面的与所述第一区域不同的第二区域，且表面具有与所述第一面取向不同的第二面取向；以及

第二III族氮化物半导体叠层部，生长于所述III族氮化物半导体薄膜的所述表面上，且包含第二活性层，

所述第一活性层及第二活性层分别具有包含In的第一阱层及第二阱层，

所述第一阱层及第二阱层的发光波长互不相同。

2.如权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一阱层的In组成与所述第二阱层的In组成互不相同。

3.如权利要求1或2所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一III族氮化物半导体叠层部进一步包含沿着所述第一活性层而设置的第一光导层，

所述第二III族氮化物半导体叠层部进一步包含沿着所述第二活性层而设置的第二光导层，

所述第一光导层及第二光导层包含In，

所述第一光导层及第二光导层的In组成互不相同。

4.如权利要求1至3的任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一阱层及第二阱层中的一个阱层的发光波长包含于430nm以上且480nm以下的范围内。

5.如权利要求1至3的任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一阱层及第二阱层中的一个阱层的发光波长包含于500nm以上且550nm以下的范围内。

6.如权利要求1至3的任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一阱层的发光波长包含于500nm以上且550nm以下的范围内，所述第二阱层的发光波长包含于430nm以上且480nm以下的范围内。

7.如权利要求1至6的任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一III族氮化物半导体叠层部具有用于激光振荡的光波导构造，

所述III族氮化物半导体基板的所述主面的法线向量相对于该III族氮化物半导体基板的III族氮化物半导体的c轴而倾斜，

所述III族氮化物半导体基板的c轴的倾斜方向与所述第一III族氮化物半导体叠层部的所述光波导构造的长度方向垂直。

8.如权利要求1至6的任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述III族氮化物半导体基板的所述主面包含该III族氮化物半导体的半极性面或无极性面。

9.如权利要求8所述的光半导体元件，其特征在于，

所述III族氮化物半导体基板的所述主面的法线向量与所述III族氮化物半导体基板的c轴所成的倾斜角包含于10度以上且80度以下、或100度以上且170度以下的范围内。

10.如权利要求9所述的光半导体元件，其特征在于，

所述III族氮化物半导体基板的所述主面的法线向量与所述III族氮化物半导体基板的c轴所成的倾斜角包含于63度以上且80度以下、或100度以上且117度以下的范围内。

11.如权利要求1至10的任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述接合层由具有导电性的材料构成。