[发明专利]安装结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种安装结构体，利用具有217℃以上熔点的第1焊料将半导体元件与第1安装基板进行接合，且该第1安装基板安装于第2基板上，其特征在于，包括：

多个接合部，该接合部将与接合有所述半导体元件的面相反的面的所述第1安装基板与所述第2基板进行接合；以及

强化构件，该强化构件形成于所述接合部的周围，

所述接合部分别包含具有比所述第1焊料要低的熔点的第2焊料来作为焊料材料，

相邻的各个所述接合部之间具有不存在所述强化构件的空间，

所述强化构件与所述第1安装基板以及所述第2基板两者相接触并从所述接合部分别向所述第1安装基板和所述第2基板变宽，且不与相邻的所述接合部周围的强化构件相接。

2.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，

当设所述第1安装基板与所述第2基板之间的体积为V0，

形成于所述第1安装基板与所述第2基板之间的各个所述接合部的总体积为V1，

形成于所述第1安装基板与所述第2基板之间的各个所述强化构件的总体积为V2时，满足下式

V0-V1-V2>0

的关系。

3.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，

所述强化构件与所述第2基板相接触，

形成于所述接合部周围的所述强化构件的、以所述第2基板面为基准的高度在基板间距离的1/5以上。

4.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，

所述第2焊料至少含有Sn且具有200℃以下的熔点。

5.如权利要求4所述的安装结构体，其特征在于，

所述第2焊料的组成包含50～70重量％的Bi及10～25重量％的In的任一种金属，而剩余部分为Sn。

6.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，

所述强化构件含有液态双酚F型环氧树脂及咪唑类固化剂。

7.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，

所述第1安装基板比所述第2基板要薄。

8.一种安装结构体的制造方法，该安装结构体的制造方法中，利用具有217℃以上熔点的第1焊料将半导体元件与第1安装基板进行接合，并将该第1安装基板安装于第2基板上，其特征在于，包括：

复合材料提供工序，该复合材料提供工序将强化树脂与比所述第1焊料的熔点要低的第2焊料混合后的复合材料提供给所述第2基板上的多个部位；

安装基板配置工序，该安装基板配置工序在提供了所述复合材料的所述第2基板上配置所述第1安装基板；以及

基板接合工序，该基板接合工序以比所述第1焊料的熔点要低、且比所述第2焊料的熔点要高的温度对所述复合材料进行加热，从而使所述第1安装基板与所述第2基板进行接合，

所述基板接合工序中，

与接合有所述半导体元件的面相反的面的所述第1安装基板与所述第2基板进行接合，由所述第2焊料所形成的接合部形成于多个部位，

通过集中于所述接合部周围的所述强化树脂来对所述接合部进行强化的强化构件与所述第1安装基板及所述第2基板两者进行接触并从所述接合部分别向所述第1安装基板和所述第2基板变宽来形成，且形成为不与相邻的所述接合部周围的强化构件相接。