[发明专利]处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的处理装置。

背景技术

公知在钟形罩周围配置天线的感应耦合型等离子体处理装置。在专利文献1中公开了等离子体处理装置，其中，由真空容器(2)和闭塞真空容器(2)的上部的钟形罩(12)形成真空处理室。此处，气环(4)经由O形环被配置在真空容器(2)的凸缘(24)上，并且钟形罩(12)经由O形环被配置在气环(4)上。围绕钟形罩(12)配置天线(1a、1b)，并且，经由匹配器(匹配箱)(3)将高频电源(10)连接到天线(1a、1b)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2004-235545号公报

发明内容

发明要解决的课题

在感应耦合型等离子体处理装置等的处理装置中，在处理基板(例如沉积处理、蚀刻处理)时，在钟形罩的内表面会有反应产物堆积。堆积在钟形罩的内表面的反应产物，会剥落和掉落到基板或基板支撑部上。此外，如果反应产物在钟形罩内表面的堆积量变多，则会因此改变处理基板时的条件。因此，能进行将钟形罩从处理装置取下，进行清洁，并再次安装到该处理装置，或是更换钟形罩的维修操作。

然而，如专利文献1所记载的处理装置那样，处理装置具有钟形罩被载置在构造体(真空容器)上的结构，该构造体位于钟形罩下面，为了要从该构造体取下钟形罩，之前必须要取下配置于钟形罩的上侧的匹配器等。如果取下匹配器，并在取下钟形罩，进行清洁、安装之后将匹配器再次安装于处理装置，对等离子体的天线的耦合状态就会改变，所以有必要重新设定沉积或是蚀刻处理等的处理条件。此条件设定需要长时间，导致生产率降低，所以应该避免在每次清洁或者更换钟形罩时将匹配器从处理装置取下。

本发明是发明人认识到上述技术问题而做出的，本发明的目的在于提供对生产率的提高有利的技术。

〔用于解决课题的手段〕

本发明的一个方面是相关于对基板进行处理的处理装置。所述处理装置具备：基板支撑部，其在对基板进行处理的处理空间中支撑所述基板；第1分隔构件，其包括具有开口部的顶盖部并且使所述处理空间从外部空间分隔开；和第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便闭塞开口部并且与所述第1分隔构件一起使所述处理空间从所述外部空间分隔开；第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便通过使所述第2分隔构件朝向所述顶盖部的下表面所面向的空间移动，从而将所述第2分隔构件从所述第1分隔构件取下。

〔发明的效果〕

根据本发明，提供对于生产率的提高有利的技术。

本发明的其他的特征及优点，参照附图说明如下。应注意，在附图中相同或者相似的构成赋予相同的参考编号。

附图说明

附图包含于说明书中，构成其一部分，表示本发明的实施方式，并且与实施方式的记载一起用于说明本发明的原理。

图1是示意地示出根据本发明的1个实施方式的处理装置的概略结构的横截面图。

图2是图1示出的处理装置的部分放大图。

图3是图1示出的处理装置的部分放大图。

图4是图1示出的处理装置的部分放大图。

图5是图1示出的处理装置的部分放大图。

图6是图1示出的处理装置的部分放大图。

图7是图1示出的处理装置的部分放大图。

图8是图1示出的处理装置的部分放大图。

图9是示意地示出根据本发明的1个实施方式的处理装置的开放动作的图。

图10是示意地示出根据本发明的1个实施方式的处理装置的开放动作的图。

图11是示意地示出根据本发明的1个实施方式的处理装置的零件拆除动作的图。

图12是表示根据本发明的其他实施方式的处理装置的概略结构的横截面图。

具体实施方式

以下，参照图1同时说明本发明的1个实施方式的处理装置1。处理装置1，典型的是作为感应耦合型等离子体处理装置而被构成的。然而，本发明也可适用于其他处理装置，例如，ECR等离子体处理装置、微波等离子体处理装置等。处理装置1，作为对处理基板S的处理空间PS从外部空间(例如大气环境)OS分隔的构件(包围物)，并且具备第1分隔构件(腔室；chamber)40、第2分隔构件(钟形罩)30、与基底部120。