[发明专利]用于通过固相扩散形成超浅掺杂区域的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底中形成超浅硼(B)掺杂剂区域的方法，所述方法包括：

通过原子层沉积(ALD)来沉积直接接触所述衬底的硼掺杂剂层，所述硼掺杂剂层包含通过硼酰胺前体和反应物气体的交替气态性暴露而形成的氧化物、氮化物或氧氮化物；

对所述硼掺杂剂层进行图案化；以及

利用热处理通过使硼从图案化的硼掺杂剂层扩散到所述衬底中而在所述衬底中形成所述超浅硼掺杂剂区域，

其中所述超浅硼掺杂剂区域的厚度在1nm和10nm之间。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

从所述衬底移除所述图案化的硼掺杂剂层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述硼掺杂剂层上或在所述图案化的硼掺杂剂层上沉积盖层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼掺杂剂层包含所述氧化物，并且所述反应物气体包括H₂O、O₂或O₃或者其两种或更多种的组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼掺杂剂层包含所述氮化物，并且所述反应物气体包括NH₃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼掺杂剂层包含所述氧氮化物，并且所述反应物气体包括：a)H₂O、O₂或O₃，以及NH₃；或者b)NO、NO₂或N₂O，以及任选地NH₃和H₂O、O₂、O₃中的一种或更多种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼掺杂剂层的厚度为4nm或更小。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括在所述衬底上方限定掺杂剂窗的图案化掩模层，并且其中所述硼掺杂剂层沉积为在所述掺杂剂窗中直接接触所述衬底。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含Si、Ge、In、Ga、As、Sb、GaAs、InGaAs、InGaSb或Si_xGe_1-x，其中0<x<1。

10.一种用于在衬底中形成超浅硼(B)掺杂剂区域的方法，所述方法包括：

通过原子层沉积(ALD)来沉积直接接触所述衬底的硼掺杂剂层，所述硼掺杂剂层包含通过硼酰胺前体或有机硼前体和反应物气体的交替气态性暴露而形成的氧化物、氮化物或氧氮化物；

对所述硼掺杂剂层进行图案化；以及

利用热处理通过使硼从所述图案化的硼掺杂剂层扩散到所述衬底中而在所述衬底中形成所述超浅硼掺杂剂区域，

其中所述超浅硼掺杂剂区域的厚度在1nm和10nm之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述硼掺杂剂层包含所述氧化物，并且所述反应物气体包括H₂O、O₂或O₃或者其两种或更多种的组合。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述硼掺杂剂层包含所述氮化物，并且所述反应物气体包括NH₃。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述硼掺杂剂层包含氧氮化物，并且所述反应物气体包括：a)H₂O、O₂或O₃，以及NH₃；或者b)NO、NO₂或N₂O，以及任选地NH₃和H₂O、O₂、O₃中的一种或更多种。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述衬底包括在所述衬底上方限定掺杂剂窗的图案化掩模层，并且所述硼掺杂剂层沉积为在所述掺杂剂窗中直接接触所述衬底。