[发明专利]干式剥离硼-碳膜的方法

权利要求书

1.一种用于自基板剥离膜的方法，所述方法包括：

将基板置于腔室中，所述基板上具有膜，所述膜包括硼与碳的原子比在约1：1和约3：1之间的硼与碳；

将所述膜暴露至数个氧离子或自由基以及数个氢离子或自由基，以自所述硼与碳产生一种或多种挥发性化合物；以及

自所述腔室排出所述一种或多种挥发性化合物。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在将所述膜暴露至所述氧离子或自由基以及所述氢离子或自由基之前，将所述膜暴露至数个氟离子或自由基以及数个氧离子或自由基以自所述膜的表面移除数个碳基聚合物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氧离子或自由基藉由自含氧气体产生等离子体而形成，所述含氧气体包括O₂、N₂O、CO₂、NO或NO₂，而所述氢离子或自由基藉由自含氢气体产生等离子体而形成，所述含氢气体包括H₂或NH₃。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述含氧气体是双原子氧，所述含氢气体是双原子氢，并且所述腔室维持在低于约20托的压力下。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述含氢气体的流动速率在约500SCCM与约10000SCCM之间，而所述含氧气体的流动速率在约250SCCM与约5000SCCM之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室中的压力在约5托至约100托的范围中，而所述基板维持在约200℃至约400℃的范围中的温度下。

7.一种用于自基板剥离硼-碳膜的方法，所述基板置于腔室中，所述方法包括：

将基板暴露至等离子体，所述基板包括硼与碳，所述等离子体包含数个氧自由基或离子以及数个氢自由基或离子；

使所述氢自由基或离子与所述硼反应以形成挥发性硼物质；

使所述氧自由基或离子与所述碳反应以形成挥发性碳物质；以及

自所述腔室移除所述挥发性硼物质与所述挥发性碳物质。

8.如权利要求7所述的方法，其中暴露所述基板包括：

将工艺气体引导至所述腔室，所述工艺气体包括H_xO_y，其中x与y可为大于1的整数或非整数；以及

自所述工艺气体产生等离子体。

9.如权利要求8所述的方法，其中暴露所述基板包括：将所述基板暴露至自水蒸气或过氧化氢形成的等离子体。

10.如权利要求7所述的方法，其中暴露所述基板包括：

利用水蒸气产生器产生水蒸气；

将所述水蒸气流入所述腔室；以及

利用RF功率自所述水蒸气形成等离子体。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述腔室中的压力大于约5托，并且所述基板经放置与位于所述腔室中的面板的表面相隔低于约600密尔。

12.如权利要求7所述的方法，其中暴露所述基板包括：自具有化学式H_xO_y的化合物、以及含氧化合物或含氢化合物的至少一个产生等离子体，其中x与y为大于1的整数或非整数。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述含氧化合物包括O₂、N₂O、CO₂、NO或NO₂，而其中所述含氢化合物包括H₂或NH₃。

14.一种用于自基板剥离膜的方法，所述基板置于腔室中，所述方法包括：

将基板暴露至自化合物形成的等离子体，所述化合物包括H_xO_y，其中x与y为大于1的整数或非整数；

使所述膜与所述等离子体接触以形成一种或多种挥发性物质；以及

自所述腔室移除所述挥发性物质。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述等离子体包括水蒸气或过氧化氢。