[发明专利]导电性组合物、使用该组合物的导电性膜及其制备方法有效
申请号: | 201280014916.1 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN103443162A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 西尾亮;青合利明;林直之 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;B32B27/00;C08G61/10;C08G73/00;C08J7/04;C08L49/00;H01B1/12;H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;解延雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 组合 使用 及其 制备 方法 | ||
1.一种导电性组合物,所述导电性组合物包含导电性聚合物和鎓盐化合物,所述鎓盐化合物作为所述导电性聚合物的掺杂剂。
2.如权利要求1所述的导电性组合物,基于100质量份的所述导电性聚合物,所述导电性组合物以10质量份以上的量包含所述鎓盐化合物。
3.如权利要求1或2所述的导电性组合物,其中,所述导电性聚合物和所述鎓盐化合物均匀地分散于所述组合物中。
4.如权利要求1~3中任一项所述的导电性组合物,其中,所述鎓盐化合物是在施加热或用活性能量射线照射时产生酸的化合物。
5.如权利要求1~4中任一项所述的导电性组合物,其中,所述鎓盐化合物是选自由式(I)~(V)表示的化合物中的至少一种化合物,
其中,在式(I)~(V)中,R21~R23、R25~R26和R31~R33各自独立地表示烷基、芳烷基、芳基或芳香族杂环基;R27~R30各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、芳基、芳香族杂环基、烷氧基或芳氧基;R24表示亚烷基或亚芳基;X-表示强酸的阴离子;并且在同一式中选自R21~R23、R25~R26和R31~R33的任意两个基团能够彼此键合而形成脂肪族环、芳香族环或杂环。
6.如权利要求1~5中任一项所述的导电性组合物,其中,所述鎓盐化合物是由式(I)和/或式(II)表示的锍盐化合物,R21~R23是苯基或氯代苯基,且X-是烷基硼酸盐或芳基硼酸盐的阴离子。
7.如权利要求1~6中任一项所述的导电性组合物,其中,所述导电性组合物的水分含量为0.01质量%以上至15质量%以下。
8.如权利要求1~7中任一项所述的导电性组合物,其中,所述导电性聚合物是具有源自至少一种单体的重复单元的共轭聚合物,所述至少一种单体选自由噻吩类化合物、吡咯类化合物、苯胺类化合物、乙炔类化合物、对苯撑类化合物、对苯撑-乙烯撑类化合物、对苯撑-乙炔撑类化合物以及它们的衍生物组成的组。
9.如权利要求1~8中任一项所述的导电性组合物,其中,所述导电性聚合物是至少具有源自噻吩化合物的重复单元的共轭聚合物。
10.如权利要求1~9中任一项所述的导电性组合物,其中,所述导电性聚合物具有选自由式(1)~(5)表示的重复单元中的至少一种重复单元,
其中,在式(1)~(5)中,R1~R13各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷硫基、聚氧化亚烷基、酰氧基或烷氧基羰基;Y表示碳原子、氮原子或硅原子;且n表示1或2的整数。
11.如权利要求1~10中任一项所述的导电性组合物,所述导电性组合物还包含溶剂。
12.一种导电性膜,所述导电性膜通过使权利要求1~11中任一项所述的导电性组合物成型,然后对成型产物施加热或活性能量射线而形成。
13.一种导电性层积体,所述层积体通过将权利要求1~11中任一项所述的导电性组合物涂布在基板上,然后对涂布产物施加热或活性能量射线而形成。
14.如权利要求13所述的导电性层积体,其中,所述基板是树脂膜。
15.如权利要求13或14所述的导电性层积体,所述层积体还具有电极。
16.一种导电性物品,所述导电性物品利用权利要求1~11中任一项所述的导电性组合物、权利要求12所述的导电性膜以及权利要求13~15中任一项所述的导电性层积体中的任何一种。
17.一种导电性膜的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:使权利要求1~11中任一项所述的导电性组合物成型的步骤,和对成型产物加热或对所述成型产物照射活性能量射线的步骤。
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