[发明专利]具有由掺杂硅墨水形成的掺杂表面触点的硅衬底和相应的方法有效
| 申请号: | 201280014566.9 | 申请日: | 2012-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN103460345B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
| 发明(设计)人: | 刘国钧;乌马·斯里尼瓦桑;希夫库马尔·基鲁沃卢 | 申请(专利权)人: | 纳克公司 |
| 主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/228;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 沈锦华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 掺杂 墨水 形成 表面 触点 衬底 相应 方法 | ||
1.一种掺杂物来源组合物,其包含溶剂、玻璃/陶瓷前体组合物和选自由掺杂硅纳米粒子、掺杂二氧化硅纳米粒子或其组合组成的群组的掺杂粒子的掺合物,其中所述玻璃/陶瓷前体组合物包括玻璃/陶瓷氧化物、玻璃/陶瓷氮化物、玻璃/陶瓷碳化物或其组合的前体。
2.根据权利要求1所述的掺杂物来源组合物,其中所述玻璃/陶瓷前体组合物包含旋涂式玻璃组合物。
3.根据权利要求1所述的掺杂物来源组合物,其中所述玻璃/陶瓷前体组合物包含以热学方式转化为金属/类金属氧化物的溶胶-凝胶。
4.根据权利要求1所述的掺杂物来源组合物,其包含1重量%到40重量%的硅纳米粒子。
5.根据权利要求1所述的掺杂物来源组合物,其中所述溶剂包含醇。
6.根据权利要求1所述的掺杂物来源组合物,其中所述掺杂粒子包含掺杂硅粒子。
7.一种用于使硅衬底掺杂的方法,所述方法包含:
使根据权利要求1所述的掺杂物来源组合物沉积,以在所述硅衬底上形成掺杂沉积物;和
加热所述硅衬底以将所述掺杂物元素驱入所述硅衬底中。
8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包含执行初始加热步骤,以使所述玻璃/陶瓷前体组合物固化。
9.根据权利要求7所述的方法,其进一步包含在执行所述掺杂物驱入后蚀刻所述硅衬底,以实质上去除剩余的贫化掺杂物来源组合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





