[发明专利]用于测试半导体器件的接触件的制造方法

权利要求书

1.一种用于测试半导体器件的接触件的制造方法，所述方法包括：

第一堆叠阶段（S1），在所述第一堆叠阶段中，连续交替地将介电层（2）和导体层（1）粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第一堆叠体；

第一切割阶段（S2），在所述第一切割阶段中，以固定的厚度垂直切割所述第一堆叠体的侧面至贯穿所述第一堆叠体的整个高度，从而形成包含分别沿纵向方向延伸的多组介电层（21）和导体层（11）的第一切割体（M1），其中所述多组介电层（21）和导体层（11）连续地排列在彼此上方；

第二堆叠阶段（S3），在所述第二堆叠阶段中，连续交替地将平放的所述第一切割体（M1）与另一介电层（2）平行地粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第二堆叠体；以及

第二切割阶段（S4），在所述第二切割阶段中，以固定的厚度垂直切割所述第二堆叠体的侧面至贯穿所述第二堆叠体的整个高度，从而形成包含多组介电层（21）和设置在所述介电层（21）的一侧上的第二层的第二切割体（M2），其中所述介电层（21）沿其纵向方向延伸，并且所述第二层包含多对介电部（20）和导体部（10），所述多对介电部（20）和导体部（10）沿所述第二层的纵向方向连续设置，其中所述多组介电层（21）和第二层重复地堆叠在彼此之上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一堆叠阶段（S1）如下进行，将介电材料和导体材料液化，并且通过涂布、喷涂和溅射中的任意一种方法将液化的材料涂布到基材上，然后对所述液化的材料进行固化，或者，将膜、片或板形式的介电材料或导体材料堆叠在膜、片或板形式的介电材料或导体材料上，然后将这两层热熔化；以及

其中所述第二堆叠阶段（S2）如下进行，将介电材料液化，并且通过涂布、涂抹、喷涂和溅射中的任意一种方法将液化的介电材料涂布到所述第一切割体（M1）上，然后对所述液化的介电材料进行固化，或者，将膜、片或板形式的介电材料堆叠在所述第一切割体（M1）上，然后将所述介电材料热熔化。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述介电材料和所述介电层包括从如下的组中选择的任意一种，所述组包括硅树脂、橡胶、氨基甲酸酯、丙烯酸酯、聚丙烯、聚乙烯、或者它们的混合物中的任意一种；以及

其中所述导体材料和所述导体层包括从如下的组中选择的任意一种，所述组包括金、银、铜、铝、碳、镍、或它们的混合物的任意一种，或者，所述导体材料和所述导体层包括从如下混合物中选择的任意一种，所述混合物为将从包括金、银、铜、铝、碳、镍、或它们的混合物的任意一种的组中选择的任意一种类型的粉末加入到从包括硅树脂、橡胶、氨基甲酸酯、丙烯酸酯、聚丙烯、聚乙烯、或者它们的混合物中的任意一种的组中选择的任意一种中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层（2）和所述导体层（1）的厚度、以及所述第一切割体和所述第二切割体（M1和M2）的宽度的最小值为20μm。