[发明专利]制造太阳能电池电极的方法

权利要求书

1.制造p型电极的方法，包括以下步骤：

制备N型基底半导体基板，所述N型基底半导体基板包括n基底层、所述n基底层上的p型发射器、所述p型发射器上的第一钝化层、以及所述n基底层上的第二钝化层；

将导电浆料施涂到所述第一钝化层上，其中所述导电浆料包含：

(i)100重量份的导电粉末，所述导电粉末包括选自银、镍、铜以及它们的混合物的金属，

(ii)0.3至8重量份的具有3至11μm粒径的铝粉，

(iii)3至22重量份的玻璃料，和

(iv)有机介质；以及

焙烧所述导电浆料。

2.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，其中所述玻璃料包括含铅玻璃料或无铅玻璃料，所述含铅玻璃料包含选自下列的氧化物中的一种或多种：氧化铅（PbO）、氧化硅（SiO₂）、氧化硼（B₂O₃）和氧化铝（Al₂O₃）；所述无铅玻璃料包含选自下列的氧化物的一种或多种：氧化硼（B₂O₃）、氧化锌（ZnO）、氧化铋（Bi₂O₃）、氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）、以及氧化钡（BaO）。

3.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，其中所述玻璃料的软化点为300至600℃。

4.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，其中焙烧时间为30秒至5分钟。

5.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，其中所述焙烧步骤中的焙烧峰值温度为800至1000℃。

6.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，其中所述第一钝化层为10至厚。

7.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，其中所述第一钝化层的材料为氮化硅（SiN_x）、碳化硅（SiC_x）、氧化钛（TiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化硅（SiO_x）、铟氧化锡（ITO）、或它们的混合物。

8.根据权利要求1所述的制造p型电极的方法，还包括将第二导电浆料施涂到所述第二钝化层上的步骤，并且其中共同焙烧施涂到所述第一钝化层上的导电浆料和施涂到所述第二钝化层上的所述第二导电浆料。

9.N型基底太阳能电池，包括由权利要求1所述的方法形成的p型电极。