[发明专利]包括用于减少基底中表面缺陷的可剥离牺牲层的薄膜

权利要求书

1.一种共挤出双轴取向复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的可剥离牺牲层，其中，所述可剥离牺牲层包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物；并且其中所述聚酯衍生自：（i）一种或多种二醇；（ii）一种或多种芳族二羧酸；和（iii）可选地，一种或多种式C_nH_2n(COOH)₂的脂族二羧酸，其中n为2至8，其中，基于所述聚酯中二羧酸组分的总量，所述一种或多种芳族二羧酸以80mol%至100mol%的量存在于所述聚酯中。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其中，所述甲基丙烯酸以所述共聚物的约2wt%至约15wt%的范围存在于所述EMAA共聚物中。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜，其中，所述EMAA共聚物是一种包含较少比例的含金属盐单元的甲基丙烯酸的离子交联聚合物。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述EMAA共聚物是选自乙烯和用金属阳离子部分或完全中和的甲基丙烯酸的共聚物的离子交联聚合物。

5.根据权利要求3或4所述的薄膜，其中，所述金属选自碱金属、镁和锌。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述基底层的厚度在约5μm约500μm的范围内和/或所述可剥离层的厚度在约2μm至约200μm的范围内。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述可剥离牺牲层对所述聚酯基底的粘合强度使得剥离力在从约20gF至约250gF的范围内。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述基底具有不超过15%的浊度和/或至少80%的可见区光（400nm至700nm）的总光透射（TLT）。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述聚酯基底表现出在150℃下30分钟以上不超过3%的收缩。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，组成所述聚酯的一种或多种所述二羧酸是一种或多种芳族二羧酸，并且一种或多种所述二醇选自一种或多种脂族和环脂族二醇。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述基底的聚酯选自聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述聚酯基底表示出小于10nm的Ra。

13.一种在运输和/或储存过程中保护基底的表面免于损伤和/或污染和/或破碎的方法，所述方法包括以下步骤：

（i）提供共挤出复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的根据权利要求1至12中的任一项所述的可剥离牺牲层；和

（ii）在使用或深加工所述基底之前，从所述基底除去所述可剥离牺牲层。

14.一种减少施用至基底上的功能层中的缺陷的方法，所述方法包括以下步骤：

（i）提供共挤出复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的根据权利要求1至12中的任一项所述的可剥离牺牲层；

（ii）从所述基底上除去所述可剥离牺牲层；和

（iii）将所述功能层施用在所述基底上。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述功能层是导电层或阻挡层。

16.一种电子或光电设备、光学薄膜、医疗装置或装饰性膜，源自如权利要求1至12中的任一项所限定的共挤出双轴取向复合膜，已经从所述复合膜除去所述可剥离牺牲层。

17.一种包括聚酯基底层的根据权利要求16所述的电子或光电设备，其中，所述聚酯基板层源自共挤出复合膜，所述复合膜包括所述聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的根据权利要求1至12中的任一项所述的可剥离层，其中在结合入所述电子或光电子设备中或制造所述电子或光电子设备的之前或过程中，从所述复合物移除所述可剥离牺牲层。

18.一种进一步包括阻挡层或导电层的根据权利要求16或17所述的电子或光电设备，其中，将所述阻挡层或导电层设置在所述电子或光电设备中的所述聚酯基底上。