[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，所述银合金的晶粒的平均粒径为120～400μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

2.根据权利要求1所述的导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

含有合计为1.0质量%以下的Cu、Mg中的一种或两种来代替所述Ag的一部分。

3.根据权利要求1所述的导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

含有合计为0.8质量%以下的Ce、Eu中的一种或两种来代替所述Ag的一部分。

4.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种、还含有0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，所述银合金的晶粒的平均粒径为120～250μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

5.根据权利要求4所述的导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

含有0.1～1.5质量%的In和合计为1.0质量%以下的Cu、Mg中的一种或两种来代替所述Ag的一部分。

6.根据权利要求4所述的导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，

含有0.1～1.5质量%的In和合计为0.8质量%以下的Ce、Eu中的一种或两种来代替所述Ag的一部分。

7.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，在权利要求1所述的导电性膜形成用银合金溅射靶中，

靶表面具有0.25m²以上的面积。

8.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制作权利要求1所述的导电性膜形成用银合金溅射靶的方法，

对具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔化铸造铸块，依次进行重复6～20次热镦锻的工序、冷轧工序、热处理工序及机械加工工序。

9.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制作权利要求2所述的导电性膜形成用银合金溅射靶的方法，

对具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种、还含有合计为1.0质量%以下的Cu、Mg中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔化铸造铸块，依次进行重复6～20次热镦锻的工序、冷轧工序、热处理工序及机械加工工序。

10.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制作权利要求3所述的导电性膜形成用银合金溅射靶的方法，

对具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种、还含有合计为0.8质量%以下的Ce、Eu中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔化铸造铸块，依次进行重复6～20次热镦锻的工序、冷轧工序、热处理工序及机械加工工序。

11.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制作权利要求4所述的导电性膜形成用银合金溅射靶的方法，

对具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种、还含有0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔化铸造铸块，依次进行重复6～20次热镦锻的工序、冷轧工序、热处理工序及机械加工工序。

12.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制作权利要求5所述的导电性膜形成用银合金溅射靶的方法，

对具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种、还含有0.1～1.5质量%的In和合计为1.0质量%以下的Cu、Mg中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的熔化铸造铸块，依次进行重复6～20次热镦锻的工序、冷轧工序、热处理工序及机械加工工序。