[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201280012896.4 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103430322A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 裵道园 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池，包括：
衬底；
在所述衬底上顺序形成的背电极层、光吸收层和透明电极层；以及
势垒层，所述势垒层形成在所述衬底与所述背电极层之间并且包括元素周期表的II族元素。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述势垒层具有50nm至1μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述势垒层包括ZnO。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述势垒层进一步包括Na2O或K2O。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述势垒层包括：包括ZnO的第一势垒层；以及包括Na2O或K2O的第二势垒层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一势垒层和所述第二势垒层被交错地形成。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述衬底包括金属衬底，所述金属衬底包含金属成分。
8.一种太阳能电池的制造方法，包括：
制备金属衬底；
在所述金属衬底上形成包括II族元素的势垒层；并且
在所述势垒层上顺序地形成背电极层、光吸收层和透明电极层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述势垒层是通过进一步沉积Na2O和K2O中之一者来形成的。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述势垒层是通过同时沉积ZnO以及Na2O和K2O中之一者来形成的。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述势垒层是通过交错地沉积ZnO以及Na2O和K2O中之一者来形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
