[发明专利]无罩幕图案化植入的装置及方法

权利要求书

1.一种于离子植入系统植入工件的方法，包括：

提供邻近等离子腔室的萃取平板，所述等离子腔室包含等离子，所述萃取平板设置以提供离子束，所述离子束具有分布于入射至所述工件的角度范围的离子；

相对于所述萃取平板扫瞄所述工件；以及

在所述扫瞄期间改变所述等离子的功率位准从第一功率位准到第二功率位准，其中在所述工件的表面，在第一位准的第一束流宽大于在第二位准的第二束流宽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述改变所述功率位准于所述工件中产生多数个植入区域，且所述植入区域中至少一区域与所述工件中另一区域具有不同的离子植入位准。

3.根据权利要求1所述的方法，包括在第一持续期间施加所述第一功率位准，所述第一持续期间对应于第一植入区域宽；以及在第二持续时间施加所述功率位准，所述第二持续时间对应于第二植入区域宽。

4.根据权利要求3所述的方法，包括周期性地交替所述第一功率位准之间的所述等离子的所述功率数次。

5.根据权利要求1所述的方法，所述第一功率位准高于所述第二功率位准。

6.根据权利要求1所述的方法，所述第一功率位准小于所述第二功率位准。

7.根据权利要求1所述的方法，包括于所述扫瞄期间改变所述等离子的功率位准到第三功率位准，其中于所述工件的表面，在所述第三功率位准的第三束流宽不同于所述第一束流宽及所述第二束流宽。

8.根据权利要求1所述的方法，其中施加DC电压作为所述等离子及所述工件之间的DC脉冲，所述DC电压包括开启与关闭区间，其中于所述关闭区间时，于所述等离子及所述工件之间无施加DC电压。

9.根据权利要求8所述的方法，包括随所述等离子的功率位准的改变同步化所述施加的DC电压，其中所述第一功率位准与所述第二功率位准之间的转变发生于所述经脉冲的所述DC电压的关闭区间。

10.根据权利要求8所述的方法，包括当施加所述等离子的所述第一功率位准时，于所述DC脉冲间施加第一工作循环至少一段区间；以及当施加所述等离子的所述第二功率位准时，于所述DC脉冲间施加第二工作循环至少一段区间。

11.根据权利要求10所述的方法，其包含：

对所述第一工作循环的所述开启区间设定第一脉冲宽；以及

对所述第二工作循环的所述开启区间设定第二脉冲宽。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一工作循环与所述第二工作循环是不同的。

13.一种离子植入装置，包括：

等离子源，其可操作以改变等离子腔室中的等离子的等离子功率，所述电将含有用于植入进工件中的多个离子；

萃取平板，具有孔洞设置以改变邻近所述萃取平板的等离子壳层的形状，所述萃取平板在相对于所述工件的至少一第一方向上被扫瞄；以及

制程腔室，含有工件，所述工件可操作以接收相对于所述等离子的偏压，其中所述等离子源及所述萃取平板相互操作，以通过改变等离子功率而改变入射至所述基板的离子束的宽度。

14.根据权利要求13所述的离子植入装置，其中所述等离子源为RF源。

15.根据权利要求13所述的离子植入装置，包括DC电源，其可操作以于所述工件及所述等离子之间供应经脉冲DC偏压及固定DC偏压。

16.根据权利要求13所述的离子植入装置，其中所述离子植入装置可操作以于多个等离子功率位准下，于所述工件产生相同的离子束宽。

17.根据权利要求15所述的离子植入装置，其中所述装置可操作以于所述等离子及所述工件之间施加DC电压作为DC脉冲，所述DC电压包括开启区间及关闭区间，其中于所述关闭区间时，于所述等离子及所述工件之间无施加DC电压。

18.根据权利要求17所述的离子植入装置，其中于所述经脉冲DC电压的关闭区间，所述系统可操作以改变于所述第一功率位准及所述第二功率位准之间的等离子功率。