[发明专利]逻辑地址转译有效

专利信息
申请号: 201280012166.4 申请日: 2012-03-01
公开(公告)号: CN103502958A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 马丁·L·卡利;特洛伊·A·曼宁;特洛伊·D·拉森 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F13/14
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 逻辑 地址 转译
【说明书】:

技术领域

发明大体上涉及半导体存储器装置、方法及系统,且更特定来说,涉及逻辑地址转译。

背景技术

通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据,且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可通过在不提供电力时保留所存储的信息而提供持续数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及相变随机存取存储器(PCRAM)等。

存储器装置可组合在一起以形成固态驱动器(SSD)。固态驱动器可包含非易失性存储器(例如,NAND快闪存储器及NOR快闪存储器)和/或可包含易失性存储器(例如,DRAM及SRAM),以及各种其它类型的非易失性存储器及易失性存储器。快闪存储器装置(包含浮动栅极快闪装置及使用将电荷捕捉中的信息存储在氮化物层中的半导体-氧化物-氮化物-氧化物半导体及金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体电容器结构的电荷捕捉快闪(CTF)装置)可用作用于宽范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用容许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。

由于固态驱动器在性能、大小、重量、强度、操作温度范围及功率消耗方面优于硬盘驱动器,所以所述SSD可取代硬盘驱动器作为用于计算机的主存储装置。例如,由于磁盘驱动器缺乏移动部件(其可避免搜寻时间、潜伏期及与磁盘驱动器相关联的其它电机械延时),所以当与磁盘驱动器比较时,SSD可具有优异性能。SSD制造商可使用非易失性快闪存储器来产生可不使用内部电池供应的快闪SSD,因此容许所述驱动器更多样化且紧凑。

SSD可包含数个存储器装置,例如,数个存储器芯片(如本文所使用,“数个”某物可指此些物中的一者或一者以上,例如,数个存储器装置可指一个或一个以上存储器装置)。如所属领域的普通技术人员将了解,存储器芯片可包含数个裸片和/或逻辑单元(LUN)。每一裸片可包含数个存储器阵列及其上的外围电路。所述存储器阵列可包含组织到数个物理页中的数个存储器单元,且所述物理页可组织到数个块中。

SSD可包含逻辑地址(LA)表,例如,逻辑块地址(LBA)表。LBA表可用于记录将数据的逻辑地址转译成(例如,链接到)SSD的存储器阵列中的数据的物理位置的信息。所述LBA表可存储在固态驱动器的易失性存储器中,且所述LBA表的副本也可存储在所述固态驱动器的非易失性存储器中。当命令(例如,读取请求和/或写入请求)起始于固态驱动器中时,所述LBA表可用于转译(例如,定位)所述固态驱动器中的数据的物理位置。可通过主机起始用于读取和/或写入特定逻辑地址处的数据的读取请求和/或写入请求。可在所述LBA表中找到逻辑地址,且接着可指示对应物理地址。所述固态驱动器可从所述经指示的物理地址读取数据以完成所述固态驱动器的读取请求,且/或所述固态驱动器可将所述数据写入到所述经指示的物理地址以完成所述固态驱动器的写入请求。

加密数据可存储在固态存储器装置中,且存在主机可将LBA的范围视为群组的例子。例如,加密密钥可与特定LBA范围相关联。数个加密密钥可用于加密存储在存储器装置中的数据。

发明内容

附图说明

图1是根据本发明的一个或一个以上实施例的包含至少一个存储器系统的计算系统的功能框图。

图2说明根据本发明的一个或一个以上实施例的非易失性存储器中的密钥区的框图。

图3说明根据本发明的一个或一个以上实施例的密钥范围表。

具体实施方式

本发明包含用于逻辑地址转译的方法。一种此方法包含接收与LA相关联的命令,其中所述LA是在LA的特定范围中;以及使用对应于在写入与不同于所述特定范围的LA范围相关联的数据时跳过的物理位置的数目的偏移将所述LA转译成存储器中的物理位置。

在本发明的以下详细描述中,参考形成所述实施例的部分的附图,且所述附图经由说明来展示可怎样实践本发明的一个或一个以上实施例。此些实施例予以充分详细地描述以使所属领域的普通技术人员能实践本发明的实施例,且应理解,还可利用其它实施例,且在不脱离本发明的范围的情况下进行过程变化、电变化和/或结构变化。如本文所使用,指定符“N”(特定关于图式中的参考数字)指示经此指定的数个特定特征可包含在本发明的一个或一个以上实施例。

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