[发明专利]基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板及其制造方法

权利要求书

1.一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，在该液晶聚合物薄膜的该氮原子含量为10原子%以上的表面上具有通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层。

2.如权利要求1所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/碳原子之比为0.13以上。

3.如权利要求1或2所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/氧原子之比为0.7以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，在所述液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间具有阻挡层。

6.如权利要求5所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，阻挡层为包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层以及在该溅射层上形成的电镀铜层。

8.一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面进行等离子体处理，使氮原子含量为10原子%以上，然后，通过干式镀法和/或湿式镀法在该等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面上形成金属导体层。

9.如权利要求8所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/碳原子之比为0.13以上。

10.如权利要求8或9所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/氧原子之比为0.7以上。

11.如权利要求8～10中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，通过对液晶聚合物薄膜进行等离子体处理，使液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。

12.如权利要求8～11中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，在等离子体处理后的液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间形成阻挡层。

13.如权利要求12所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，形成包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层作为阻挡层。

14.如权利要求8～13中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，作为所述金属导体层，预先形成铜溅射层，并在该溅射层上形成电镀铜层。