[发明专利]具有改进的吸收材料的串叠型太阳能电池无效

申请号：	201280010920.0	申请日：	2012-01-26
公开（公告）号：	CN103403876A	公开（公告）日：	2013-11-20
发明（设计）人：	O·古纳万;金志焕;D·B·米茨;D·K·萨达那;T·K·托多洛夫	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L31/0256	分类号：	H01L31/0256
代理公司：	北京市中咨律师事务所 11247	代理人：	贺月娇;于静
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	具有改进吸收材料串叠型太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种光敏器件，包括：

具有N型层、P型层和它们之间的顶部本征层的顶部电池；以及

具有N型层、P型层和它们之间的底部本征层的底部电池，所述底部本征层包括含Cu-Zn-Sn的硫族化物。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述含Cu-Zn-Sn的硫族化物是具有锌黄锡矿结构的化学式的化合物：Cu_2-xZn_1+ySn(S_1-zSe_z)_4+q，其中0≤x≤1；0≤y≤1；0≤z≤1；-1≤q≤1。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述底部本征层包括沉积的墨水材料。

4.如权利要求1所述的器件，其中所述底部电池包括高功函数金属作为所述P型层。

5.如权利要求4所述的器件，其中所述高功函数金属包括钼。

6.如权利要求5所述的器件，其中所述钼形成在玻璃衬底上。

7.如权利要求1所述的器件，其中所述底部电池包括硫化镉层作为所述N型层。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述顶部电池包括非晶硅作为所述顶部本征层。

9.如权利要求1所述的器件，其中所述顶部电池包括掺杂的非晶硅作为所述N型层，并且包括掺杂的微晶硅作为所述P型层。

10.一种光敏器件，包括：

具有N型层、P型层和它们之间的顶部本征层的顶部电池；以及

具有N型层、P型层和它们之间的底部本征层的底部电池，所述底部本征层包括含Cu-Zn-Sn的硫族化物化合物，该化合物具有锌黄锡矿结构的化学式：Cu_2-xZn_1+ySn(S_1-zSe_z)_4+q，其中0≤x≤1；0≤y≤1；0≤z≤1；-1≤q≤1，其中z被控制以将所述底部电池的带隙调整为小于所述顶部电池的带隙。

11.如权利要求10所述的器件，其中所述顶部电池包括非晶硅作为所述顶部本征层。

12.如权利要求10所述的器件，其中所述顶部电池包括掺杂的非晶硅作为所述N型层，并且包括掺杂的微晶硅作为所述P型层。

13.如权利要求10所述的器件，其中所述底部本征层包括沉积的墨水材料。

14.如权利要求10所述的器件，其中所述底部电池包括硫化镉层作为所述N型层。

15.一种制造串叠型光伏器件的方法，包括：

形成具有N型层、P型层和它们之间的底部本征层的底部电池，其中所述底部本征层包括含Cu-Zn-Sn的硫族化物；以及

在所述底部电池之上形成顶部电池以形成串叠型电池，所述顶部电池具有N型层、P型层和它们之间的顶部本征层。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述含Cu-Zn-Sn的硫族化物包括锌黄锡矿结构的化学式：Cu_2-xZn_1+ySn(S_1-zSe_z)_4+q，其中0≤x≤1；0≤y≤1；0≤z≤1；-1≤q≤1。

17.如权利要求16所述的方法，还包括：调整z以控制所述底部本征层的带隙，使得所述底部电池的带隙小于所述顶部电池的带隙。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述底部电池包括钼作为形成在玻璃衬底上的所述P型层。

19.如权利要求15所述的方法，其中所述底部电池包括硫化镉层作为所述N型层。

20.如权利要求15所述的方法，其中所述顶部电池包括非晶硅作为所述顶部本征层。