[发明专利]新型杂环化合物、制造其中间体的方法及其用途有效
| 申请号： | 201280010570.8 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103391942A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 泷宫和男;新见一树;桑原博一;贞光雄一;狩野英成 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人广岛大学;日本化药株式会社 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07C319/18;C07C319/20;C07C321/28;C07C323/21;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本广岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 杂环化合物 制造 中间体 方法 及其 用途 | ||
1.一种杂环化合物，由下式(1)表示：
其中，R1和R2各自表示氢原子、C2～C16烷基和芳基中的一种；
当R1各自独立地表示C2～C16烷基或芳基时，R2各自表示氢原子或R2各自独立地表示芳基；且
当R1表示氢原子时，R2各自独立地表示芳基。
2.如权利要求1所述的杂环化合物，其中在式(1)中，R1各自独立地为直链C5～C12烷基，且R2各自为氢原子。
3.如权利要求1所述的杂环化合物，其中在式(1)中，R1各自独立地为具有苯基、萘基和联苯基中的任一种骨架的芳基，且R2各自为氢原子。
4.如权利要求1所述的杂环化合物，其中在式(1)中，R1为氢原子，且R2各自独立地为具有苯基、萘基和联苯基中的任一种骨架的芳基。
5.如权利要求3所述的杂环化合物，其中在式(1)中，R1各自独立地为选自苯基、4-烷基苯基、1-萘基和联苯基中的芳基，且R2为氢原子。
6.如权利要求4所述的杂环化合物，其中在式(1)中，R1各自为氢原子，且R2各自独立地为选自苯基、4-烷基苯基、1-萘基和联苯基中的芳基。
7.一种在由式(2)表示的杂环化合物的制造中制造由式(4)表示的中间体化合物的方法，所述方法包括使由式(3)表示的化合物与二甲基二硫化物反应：
其中R3表示取代基；
其中R3和R4表示取代基。
8.一种在由式(2)表示的杂环化合物的制造中制造由式(6)表示的中间体化合物的方法，所述方法包括使由式(4)表示的化合物与由式(5)表示的锡化合物反应：
其中R3、R4和R5表示取代基。
9.一种有机半导体材料，包含一种或两种以上根据权利要求1～6中任一项的由式(1)表示的杂环化合物。
10.一种半导体装置制作用油墨，包含一种或两种以上根据权利要求1～6中任一项的由式(1)表示的杂环化合物。
11.一种有机薄膜，包含一种或两种以上根据权利要求1～6中任一项的由式(1)表示的杂环化合物。
12.一种制造有机薄膜的方法，其中通过沉积法形成根据权利要求11的有机薄膜。
13.一种制造有机薄膜的方法，其中通过涂布根据权利要求10的半导体装置制作用油墨形成根据权利要求11的有机薄膜。
14.一种场效应晶体管，具有根据权利要求11的有机薄膜。
15.如权利要求14所述的场效应晶体管，其中所述场效应晶体管是底部接触型。
16.如权利要求14所述的场效应晶体管，其中所述场效应晶体管是顶部接触型。
17.一种制造场效应晶体管的方法，包括通过根据权利要求12或权利要求13的方法在衬底上形成有机薄膜的步骤，所述有机薄膜包含一种或两种以上根据权利要求1～6中任一项的由式(1)表示的杂环化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人广岛大学;日本化药株式会社，未经国立大学法人广岛大学;日本化药株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280010570.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
