[发明专利]用于等离子电弧焊炬的高电流电极

权利要求书

1.一种用于等离子电弧焊炬的电极，包括：

导电体，所述导电体定义近端部分、远端部分以及设置在所述远端部分处的远端面；

多个发射插入物，所述多个发射插入物延伸穿过所述远端面并且延伸到所述远端部分中，

其中，发射插入物具有靠近所述远端面设置的远端部分和从所述远端部分相对于所述远端部分成角度地径向向外延伸的近端部分。

2.根据权利要求1所述的电极，包括四个发射插入物。

3.根据权利要求1所述的电极，进一步包括：

中央腔，所述中央腔被限定在在所述导电体中；以及

中央突起部，所述中央突起部设置在所述导电体的远端部分处的中央腔内，

其中，所述发射插入物延伸到所述中央突起部中，但不延伸到所述中央腔中。

4.根据权利要求3所述的电极，其中，所述中央突起部定义大约0.75至大约1的高度比。

5.根据权利要求4所述的电极，其中，所述高度比为大约0.9至大约0.95。

6.根据权利要求1所述的电极，其中，所述发射插入物包括铪合金。

7.根据权利要求1所述的电极，进一步包括：

成角度的侧壁，所述成角度的侧壁从所述远端面延伸至所述导电体的圆柱形侧壁；以及

多个槽口，所述多个槽口延伸到所述远端面和所述成角度的侧壁中。

8.根据权利要求7所述的电极，其中，槽口在所述远端面和所述成角度的侧壁之间的界面周围均匀地间隔开。

9.根据权利要求1所述的电极，进一步包括浅凹，所述浅凹延伸到所述远端面中并且至少部分地延伸到所述发射插入物中，所述浅凹围绕所述导电体的中心线同中心地设置。

10.根据权利要求9所述的电极，其中，所述浅凹延伸到所述发射插入物的暴露区域的大约50%中。

11.根据权利要求1所述的电极，其中，所述发射插入物围绕所述导电体的中心线同中心地嵌入。

12.根据权利要求1所述的电极，其中，所述发射插入物被包围环C包围，并且所述包围环C为喷嘴的中央孔口的直径D₁或喷嘴埋头孔的直径D₂的函数。

13.根据权利要求1所述的电极，其中，所述发射插入物定义具有大约0.045”的直径的圆柱形结构。

14.根据权利要求1所述的电极，其中，所述发射插入物之间的间距在大约0.015”和大约0.0005”之间。

15.根据权利要求14所述的电极，其中，所述间距为大约0.003”。

16.一种用于等离子电弧焊炬的电极，包括：

导电体，所述导电体定义近端部分、远端部分以及设置在远端部分处的远端面；

至少一个发射插入物，所述至少一个发射插入物延伸穿过所述远端面并延伸到远端部分中，

其中，发射插入物具有靠近所述远端面设置的远端部分和从所述远端部分相对于所述远端部分成角度地径向向外延伸的近端部分。

17.根据权利要求16所述的电极，包括四个发射插入物。

18.根据权利要求16所述的电极，进一步包括：

中央腔，所述中央腔被限定在所述导电体中；以及

中央突起部，所述中央突起部设置在所述导电体的远端部分处的所述中央腔内，

其中，所述发射插入物延伸到所述中央突起部中，但不延伸到所述中央腔中。

19.根据权利要求16所述的电极，其中，所述中央突起部定义大约0.75至大约1的高度比。

20.根据权利要求19所述的电极，所述高度比为大约0.9至大约0.95。

21.根据权利要求16所述的电极，进一步包括浅凹，所述浅凹延伸到所述远端面中并且至少部分地延伸到所述发射插入物中。