[发明专利]双负载闸配置的消除及剥离处理腔室有效
申请号: | 201280010528.6 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103403852A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 马丁·杰夫·萨里纳斯;P·B·路透;阿尼鲁达·帕尔;杰瑞德·阿哈默德·里;I·优素福 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 配置 消除 剥离 处理 | ||
1.一种负载闸室,包含:
腔室主体,所述腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积,其中所述第一腔室容积经由配置以传送基板的两个开口能选择性连接至两个处理环境,所述第二腔室容积选择性连接至所述两个处理环境的至少一者;
加热基板支撑组件,所述加热基板支撑组件设在所述第二腔室容积内,其中所述加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板;以及
远端等离子体源,所述远端等离子体源连接至所述第二腔室容积,用以供应等离子体给所述第二腔室容积。
2.如权利要求1所述的负载闸室,进一步包含绝热器,所述绝热器设在所述加热基板支撑组件与所述腔室主体间的所述第二腔室容积内,其中所述加热基板支撑组件不直接接触所述腔室主体。
3.如权利要求2所述的负载闸室,其中所述腔室主体包含:
第一腔室主体,所述第一腔室主体具有顶壁、多个侧壁和腔室底部,其中所述顶壁、所述侧壁和所述腔室底部界定所述第一腔室容积;以及
第二腔室主体,所述第二腔室主体堆迭在所述第一腔室主体的所述顶壁上,其中所述第二腔室主体和所述第一腔室主体的所述顶壁界定所述第二腔室容积。
4.如权利要求3所述的负载闸室,其中所述加热基板支撑组件包含:
上加热板,所述上加热板具有支撑基板放置于上的上表面;
下加热板,所述下加热板附接至所述上加热板的下表面;以及
加热器,所述加热器设在所述上加热板与所述下加热板之间。
5.如权利要求4所述的负载闸室,其中所述加热基板支撑组件进一步包含悬臂管,所述悬臂管附接至所述下加热板的中心。
6.如权利要求4所述的负载闸室,其中所述加热基板支撑组件进一步包含夹持机制,所述夹持机制经配置以将所述基板夹持在所述上加热板的所述上表面。
7.如权利要求3所述的负载闸室,进一步包含喷洒头,所述喷洒头设在由所述第二腔室主体界定的中央开口内,且所述喷洒头经配置以提供处理气体给所述第二腔室容积。
8.如权利要求3所述的负载闸室,进一步包含灯具组件,所述灯具组件设在所述第二腔室主体上方且经配置以朝所述第二腔室容积提供辐射能。
9.如权利要求3所述的负载闸室,其中穿过所述第一腔室主体的所述腔室底部形成有下真空进出口,且所述下真空进出口提供泵抽通道至所述第一腔室容积。
10.如权利要求9所述的负载闸室,其中穿过所述第一腔室主体的所述诸侧壁形成有上真空进出口,所述上真空进出口通往所述第二腔室容积。
11.如权利要求1所述的负载闸室,进一步包含升降箍组件,所述升降箍组件设在所述第二腔室容积内,其中所述升降箍组件包含箍主体,所述箍主体附接至升降机,且所述箍主体围绕所述加热基板支撑组件。
12.如权利要求11所述的负载闸室,其中所述升降箍组件进一步包含三个或更多个升降指状件,所述三个或更多个升降指状件垂直向下延伸且从所述箍主体放射状向内,且所述三个或更多个升降指状件经配置以接收及支撑一基板。
13.如权利要求11所述的负载闸室,其中所述升降箍组件进一步包含附接至所述箍主体的箍衬套,所述箍衬套从所述箍主体向上延伸,且所述箍衬套提供圆形界限壁围绕所述加热基板支撑组件。
14.如权利要求1-13中任一项所述的负载闸室,其中所述第二腔室容积经由经配置以传送基板的多个开口选择性连接至所述两个处理环境。
15.一种从基板移除含卤素残留物的方法,所述方法包含以下步骤:
经由如权利要求1-14中任一项的负载闸室的第一腔室容积,将基板传送到基板处理系统,其中所述负载闸室耦接至所述基板处理系统;
在所述基板处理腔室中,以包含卤素的化学剂蚀刻所述基板;以及
在所述负载闸室的所述第二腔室容积中,从所述已蚀刻基板移除含卤素残留物,其中移除所述含卤素残留物包含以下步骤:
加热设在所述第二腔室容积中的加热基板支撑组件上的所述已蚀刻基板;以及
使处理气体流入所述第二腔室容积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造