[发明专利]具有联吡啶基和咔唑环的化合物以及有机电致发光器件无效
| 申请号: | 201280010387.8 | 申请日: | 2012-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN103391933A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
| 发明(设计)人: | 横山纪昌;桦泽直朗;市川结;大津留壮平 | 申请(专利权)人: | 保土谷化学工业株式会社;国立大学法人信州大学 |
| 主分类号: | C07D401/14 | 分类号: | C07D401/14;C09K11/06;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 吡啶 咔唑环 化合物 以及 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及适合于有机电致发光器件的化合物和该器件,所述有机电致发光器件是适用于各种显示装置的自发光器件,详细而言,涉及包含具有联吡啶基和咔唑环的结构的化合物和使用了该化合物的有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件为自发光性器件,所以比液晶器件明亮且可视性优异,能够进行清晰的显示,所以对其进行了积极的研究。
近年来,作为提高器件的发光效率所做的尝试,开发了使用磷光发光体产生磷光、即利用来自三重态激发态的发光的器件。根据激发态的理论,使用磷光发光的情况下,能够达到现有荧光发光的约4倍的发光效率,可以期待发光效率的显著提高。
1993年普林斯顿大学(美国)的M.A.Baldo等通过使用了铱络合物的磷光发光器件实现了8%的外部量子效率。
磷光发光体会发生浓度猝灭,所以通常通过使其掺杂于被称为主体化合物的电荷传输性化合物而进行负载。所负载的磷光发光体被称为客体化合物。作为该主体化合物,通常使用下述式所示的4,4’-二(N-咔唑基)联苯(以下,简称为CBP)(例如,参照非专利文献1)。
但是,CBP的玻璃化转变温度(Tg)低至62℃、结晶性强,所以被指出在薄膜状态下缺乏稳定性。因此在高亮度发光等要求耐热性的情况下,无法获得令人满意的器件特性。
随着磷光发光器件的研究的发展,磷光发光体与主体化合物之间的能量转移过程得到阐明,明确如下事实:为了提高发光效率,主体化合物的三重态激发能级必须高于磷光发光体的三重态激发能级.
向前述CBP中掺杂下式所示的作为蓝色磷光发光材料的FIrpic来制作发光层的主体化合物时,磷光发光器件的外部量子效率停留在6%的程度。认为是因为FIrpic的三重态激发能级为2.67eV,与此相对,CBP的三重态激发能级低至2.57eV,因此,对FIrpic所产生的三重态激子的限制不充分。这一点通过将FIrpic掺杂到CBP中而得到的薄膜的光致发光强度表现出温度依赖性而得到证实(参照非专利文献2)。
作为三重态激发能级比CBP高的主体化合物,已知有下述所示的1,3-双(咔唑-9-基)苯(以下,简称为mCP),mCP的玻璃化转变温度(Tg)也低至55℃、结晶性强,因此在薄膜状态下缺乏稳定性。因此在高亮度发光等要求耐热性的情况下,无法获得令人满意的器件特性(参照非专利文献2)。
另外,在研究具有更高的三重态激发能级的主体化合物的过程中获知,在电子传输性或双向传输性的主体化合物中掺杂铱络合物时,可获得高发光效率(例如:非专利文献3)。
这样,为了提高实用情况下的磷光发光器件的发光效率,需要三重态激发能级高、薄膜稳定性高的发光层的主体化合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-022986号公报
非专利文献
非专利文献1:Appl.Phys.Let.,75,4(1999)
非专利文献2:有机EL照明用材料的开发和评价技术(有機EL照明用材料の開発と評価技術)p102-106Science&Technology Co.,Ltd.(2010)
非专利文献3:有机EL显示器(有機ELディスプレイ)p90、Ohmsha,Ltd.(2005)
非专利文献4:Synth.Commun.,11,513(1981)
非专利文献5:第4版实验化学讲座7(第4版実験化学講座7)p384-398、日本化学会编、丸善书店株式会社(1992)
非专利文献6:有机EL讨论会第1次例会稿集(有機EL討論会第1回例会稿集)、19(2005)
发明内容
发明要解决的问题
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保土谷化学工业株式会社;国立大学法人信州大学,未经保土谷化学工业株式会社;国立大学法人信州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280010387.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





