[发明专利]高速高压多路复用器

权利要求书

1.一种用于对信号进行多路复用的电路，其包括：

负电压轨；

正电压轨；

多个多路复用器单元，其中每个多路复用器单元由多个选择信号中的至少一个控制，并且其中当控制信号无效时禁用每个多路复用器单元，并且其中每个多路复用器单元包括：

输入端子；

输出端子；

开关网络，其耦合到所述负电压轨；以及

升压开关，其耦合到所述输入端子、所述输出端子和所述开关网络；以及

升压电路，其耦合到每个所述多路复用器单元的所述输出端子、每个多路复用器单元的所述开关网络以及所述正电压轨，其中所述升压电路由所述控制信号控制，

其中所述升压电路进一步包括：

第一开关，其耦合到所述正电压轨和每个多路复用器单元的所述开关网络，其中当所述控制信号有效时激活所述第一开关；

第二开关，其耦合到接地端和每个多路复用器单元的所述输出端子，其中当所述控制信号有效时激活所述第二开关；以及

电容器，其耦合在所述第一开关与所述第二开关之间，以及

其中每个升压开关进一步包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管在源极处耦合到所述输入端子，在漏极处耦合到所述输出端子并且在栅极处耦合到所述开关网络，

其中每个开关网络进一步包括：

第三开关，其耦合到所述NMOS晶体管的所述源极；

第四开关，其耦合在所述第三开关与所述输出端子之间；

第五开关，其耦合到在所述第三开关与所述第四开关之间的节点，并耦合到接地端；

第六开关，其耦合在所述负电压轨与所述NMOS晶体管的所述栅极之间；以及

第七开关，其耦合在所述第一开关与所述NMOS晶体管的所述栅极之间。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的输入范围是+/-12V。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的输入范围是+/-10V。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的输入范围是+/-5V。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的输入范围是0V至10V。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的输入范围是0V至5V。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述负电压轨具有-15V的电压。

8.根据权利要求1所述的电路，其中每个多路复用器单元进一步包括传输门，所述传输门耦合在所述输出端子与所述升压电路之间。